曹宏斌
- 作品数：10 被引量：13H指数：3
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- 键合质量与电子元器件应用可靠性
- 2002年
- 采用扫描电镜对与键合质量有关的基础材料,Si-A1丝、导电胶、外壳压点及元器件芯片压点质量的综合分析,提出元器件键合质量的高可靠性取决于基础材料的内在质量.面对21世纪电子工业的发展,加强基础材料的研究和控制,是提高军用器件高可靠性的必由之路.
- 曹宏斌
- 关键词：键合可靠性
- 元器件应用中的静电防护被引量：2
- 2000年
- 1 概述一般人认为,敏感器件在工业应用中,只要在防静电区内穿戴一套(工作服、防静电鞋、帽)防静电工作衣,在防静电区内铺设防静电桌、地垫,工作时戴防静电腕带就起到了防静电作用。但实际情况并不是那么简单,防静电技术是一门系统工程,任何一个环节的疏忽,就会引起敏感器件的损伤。本文通过几个事例来说明防静电技术在工业应用中常出现的几个误区。
- 曹宏斌
- 关键词：电子元器件静电防护
- VLSI与超纯硅材料被引量：1
- 2002年
- 通过 VLSI 与超纯硅材料关系的论述,阐明了我国 VLSI 的发展急需解决高质量的超纯硅材料。提高大直径硅片的平整度;氧、碳含量稳定、均匀、可控;提高微区电阻率的均匀性;硅表面洁净、具有密封、屏蔽的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题。超纯硅材料的完美结晶特性和超精度加工技术水平取决于基础材料(化学试剂、高纯气体、)的高纯度、小颗粒和低杂质含量的控制。
- 曹宏斌
- 关键词：超大规模集成电路半导体制造业VLSI
- VLSI与超纯硅材料
- 本文通过VLSI与超纯硅材料关系的论述,阐明了我国VLSI的发展急需解决高质量的超纯硅材料.提高大直经硅片的平行度;氧、碳含量稳定、均匀、可控;提高微区电阻率均匀性;硅表面洁净、具有密封、屏蔽的的防静电包装技术是当今硅材...
- 曹宏斌
- 关键词：VLSI微电子防静电洁净度
- 文献传递
- CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究被引量：3
- 1999年
- 通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患，
- 曹宏斌
- 关键词：抗静电静电防护CMOS电路
- 功耗电流小于200nA的Al栅CMOS I_(DD)失效分析被引量：1
- 1998年
- 针对ＣＭＯＳ个别电路的静态功耗电流ＩＤＤ功率老化失效问题，根据ＣＭＯＳ的设计结构和工艺特点，本文从静电和栓锁的角度提出了几种失效模型并分析了ＩＤＤ几种失效机理。
- 曹宏斌赵桂茹
- 关键词：CMOSIC
- 外壳锈蚀的质量分析被引量：3
- 2001年
- 本文借助扫描电镜系统,根据对复合镀层外壳锈蚀点的分析,探讨了复合镀层的表面质量,提出解决问题的途径。
- 曹宏斌
- 关键词：复合镀层扫描电镜微电子
- 键合质量与电子元器件应用可靠性
- 2002年
- 采用扫描电镜对与键合质量有关的基础材料,Si-Al丝、导电胶、外壳压点及元器件芯片压点质量的综合分析,提出元器件键合质量的高可靠性取决于基础材料的内在质量。面对21世纪电子工业的发展,加强基础材料的研究和控制,是提高军用器件高可靠性的必由之路。
- 曹宏斌
- 关键词：引线芯片键合质量电子元器件可靠性
- IC发展与基础材料被引量：3
- 1997年
- 通过国内外电子基础材料（化学试剂、高纯气体、硅材料）的对比，论述了困扰我国集成电路产业高速、稳定、可靠发展等诸类因素，提出只有对超大规模集成电路所用的电子基础材料的微观结构进行高冒险、高投资的研究和开发，才能使我国ＩＣ产业稳定。
- 曹宏斌
- 关键词：集成电路IC
- 键合质量与电子元器件应用的可靠性
- 作者采用扫描电镜对与键合质量有关的基础材料,Si-Al丝、导电胶、外壳压点及元器件芯片压点质量的综合分析,提出元器件键合质量的高可靠性取决于基础材料的内在质量.面对21世纪电子工业的发展,加强基础材料的研究和控制,是提高...
- 曹宏斌
- 关键词：电子元器件键合质量导电胶扫描电镜
- 文献传递
