您的位置： 专家智库 > >

赵桂茹

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇HTO
  • 2篇抗辐射
  • 2篇可靠性
  • 2篇硅栅
  • 2篇SUB
  • 2篇氧
  • 2篇CMOS
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇功耗
  • 1篇功耗电流
  • 1篇高温氧化
  • 1篇SIO2
  • 1篇AL
  • 1篇DD
  • 1篇IC
  • 1篇I

机构

  • 4篇西安微电子技...

作者

  • 4篇赵桂茹
  • 3篇陈晓宇
  • 3篇孙有民
  • 3篇薛智民
  • 1篇曹宏斌

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺
本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO<Sub>2</Sub>栅...
陈晓宇赵桂茹葛洪磊孙有民薛智民
文献传递
一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺
本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO<Sub>2</Sub>栅...
陈晓宇赵桂茹葛洪磊孙有民薛智民
文献传递
高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺被引量：1
2020年
针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构。对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTEOS)三种CVD氧化层进行了对比,从中优选HTO层作为复合栅的CVD氧化层,制备了一款专用集成电路(ASIC),并使用60Co源γ射线对其进行3×103 Gy(Si)总剂量辐照试验。结果表明,HTO/SiO2复合栅能够满足电路的阈值电压、功耗、延时等参数要求,并具有较好的抗总剂量辐射性能。由于SiO2层和HTO层中缺陷线的错位排列,避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路,明显减少了电路与栅氧化层相关的早期失效。HTO/SiO2复合栅结构对于小尺寸(亚微米)CMOS和特种工艺器件的栅氧化层可靠性和抗辐射性能的提升具有一定的借鉴价值。
陈晓宇葛洪磊赵桂茹孙有民薛智民
关键词：CMOS总剂量效应
功耗电流小于200nA的Al栅CMOS I_(DD)失效分析被引量：1
1998年
针对ＣＭＯＳ个别电路的静态功耗电流ＩＤＤ功率老化失效问题，根据ＣＭＯＳ的设计结构和工艺特点，本文从静电和栓锁的角度提出了几种失效模型并分析了ＩＤＤ几种失效机理。
曹宏斌赵桂茹
关键词：CMOSIC
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0