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张魁

作品数:2 被引量:2H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇制备及性能
  • 1篇小型化
  • 1篇滤波器
  • 1篇集总参数
  • 1篇方阻
  • 1篇高通
  • 1篇高通滤波
  • 1篇高通滤波器
  • 1篇薄膜电路
  • 1篇LTCC

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇张魁
  • 1篇戴雷
  • 1篇曹常胜
  • 1篇李永彬
  • 1篇吴希全

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
薄膜电路埋嵌电阻的制备及性能研究
2014年
在薄膜集成电路的制作工艺中,沉积电阻材料制作高精度、高稳定性的埋嵌薄膜电阻是一项关键技术,TaN由于具有良好的电阻范围和较高的可靠性而被广泛应用于薄膜电路中制作埋嵌电阻。研究了通过反应磁控溅射技术制备TaN薄膜电阻,并通过均匀性挡板改善薄膜的均匀性,获得了高均匀性TaN薄膜电阻。分析了氮气流量比,沉积扫描速率等工艺参数对TaN薄膜电阻性能的影响,讨论TaN薄膜电阻最佳的制备工艺。
张魁吴希全
关键词:薄膜电路方阻
一种小型化LTCC高通滤波器的设计被引量:2
2016年
提出了一种基于LTCC工艺的集总参数高通滤波器的设计方法,首先采用电路仿真软件ADS设计滤波器电路拓朴结构,再利用电磁场仿真软件HFSS仿真并提取所需的电容与电感。通过优化各元件的大小以及元件之间的相对位置,获得符合指标要求的滤波器结构。该高通滤波器的指标要求为:截止频率大于1.8GHz;2.25~3.75GHz内插入损耗小于2dB,驻波比小于1.5;DC-1.1GHz内插入损耗大于40dB,DC-1.4GHz内插入损耗大于20dB。仿真与实测结果均满足指标要求。
李永彬张魁曹常胜戴雷
关键词:高通滤波器集总参数
共1页<1>
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