陆真冀
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响被引量：2
- 2009年
- 利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响。实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围。而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部。
- 谢华木廖成焦飞周震韩俊峰赵夔陆真冀
- 铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法
- 本发明公开了铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法。本发明采用在Mo薄膜上形成CIGS薄膜之后，在二者之间施加电源电压，扫描组件在CIGS薄膜的表面进行二维扫描，将Mo薄膜和CIGS薄膜之间的接触势垒击穿，降...
- 焦飞赵夔陆真冀
- 文献传递
- 一种硫化镉化学水浴镀膜反应器
- 本实用新型公开了一种平板CIGS太阳能电池用硫化镉化学水浴镀膜反应器。本实用新型的硫化镉化学水浴镀膜反应器包括：硫化镉反应器、化学水浴槽、热水循环管道、热水循环加热装置及反应镀液配制装置；进一步，硫化镉反应器包括：注液管...
- 焦飞赵夔陆真冀江涛
- 文献传递
- 一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备
- 本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使...
- 焦飞江涛赵夔陆真冀
- X射线光电子谱方法研究CdTe/CdS异质结界面
- CdTe/CdS异质结是CdTe电池光电转换的核心部分。X射线光电子谱(XPS)是研究材料界面成分分布、能带结构的有力工具。我们使用化学水浴的方法在FTO薄膜上制备CdS膜，使用密闭空间升华的方法制备CdTe膜，对CdT...
- 韩俊峰廖成江涛谢华木焦飞陆真冀赵夔
- 关键词：薄膜太阳能电池光电转换X射线光电子谱
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- 一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备
- 本实用新型公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本实用新型采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行...
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- 一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备
- 本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使...
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- 铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法
- 本发明公开了铜铟镓硒与钼的欧姆接触的方法及太阳能电池的制备方法。本发明采用在Mo薄膜上形成CIGS薄膜之后，在二者之间施加电源电压，扫描组件在CIGS薄膜的表面进行二维扫描，将Mo薄膜和CIGS薄膜之间的接触势垒击穿，降...
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