谢华木
- 作品数:24 被引量:16H指数:2
- 供职机构:北京大学更多>>
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- 相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法
- 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔,相对于目前所用的矩形腔,有较大优势:品质因数高达10<Sup>10</Sup>;并将超导量子比特与超导腔进行耦合,将...
- 谢华木林林刘克新
- 文献传递
- 作为加速器电子源的高量子效率K2CsSb光阴极制备工艺研究被引量:2
- 2017年
- K_2CsSb光阴极具有10%左右的QE,可达数月的寿命,亚ps量级的响应时间,较低的本征发射度,因此成为高平均功率、高亮度电子源的首选。K_2CsSb光阴极广泛应用于高重频电子枪,如直流电子枪(Cornell),常温射频电子枪(LBNL),超导电子枪(BNL,HZB)等。为制备出稳定可重复长寿命具有较高量子效率的K_2CsSb光阴极,世界各大实验室均对K_2CsSb光阴极的制备工艺进行了大量的研究。本文详细介绍了K_2CsSb光阴极的制备设备及其制备工艺。
- 谢华木王尔东
- 关键词:量子效率超高真空电子枪
- 影响双碱光阴极量子效率的关键技术研究被引量:1
- 2016年
- K_2CsSb光阴极由于具备诸多优势而成为高亮度电子源的首选,应用于世界上许多大科学装置中。K_2CsSb光阴极的制备设备与制备工艺是世界上各大实验室的研究重点,本文系统研究了双碱光阴极制备过程中的关键问题,对影响双碱光阴极量子效率的重要因素,如基底种类,基底表面粗糙度,反应薄膜厚度,Cs激活工艺等方面都进行了研究,形成了一套稳定可重复的高性能双碱光阴极的制备工艺。
- 谢华木王尔东
- 关键词:量子效率表面粗糙度
- 一种可移动长寿命光阴极标准组件及其实现方法
- 本发明公开了一种可移动长寿命光阴极标准组件及其实现方法。本发明采用氮化硅或二维材料作为保护层,通过将保护层安装在密闭管的前端面,为光阴极提供了独立封闭的真空环境,能够在不影响电子发射的同时,保护光阴极不受外界气体的污染和...
- 谢华木赵永龙
- 北京大学2K低温液氦系统的调试及运行
- 北京大学射频超导实验室已建成基于超导加速器的THz实验平台,其中1.3GHz超导注入器与加速器的核心部件超导腔都必须运行在2K温度下,为此北京大学组建了国内第一套大型2K低温液氦系统,可在2K温度下为超导腔提供57.5W...
- 林林郝建奎谢华木全胜文温晓东刘克新
- 关键词:调试管理优化运行
- 文献传递
- 一种长退相干时间的超导量子比特存储方法与装置
- 本发明公开了一种长退相干时间的超导量子比特存储装置和方法。其中,所述装置包括:四分之一波长超导谐振腔,一端设有超导量子比特安装槽的介质杆,束管,耦合天线,以及两个安装板等。本发明首次将四分之一波长超导谐振腔应用在超导量子...
- 谢华木刘克新
- 文献传递
- 基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响被引量:2
- 2009年
- 利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响。实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围。而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部。
- 谢华木廖成焦飞周震韩俊峰赵夔陆真冀
- 兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法
- 本发明公开了一种兼具高量子效率与低本征发射度的透射式半导体光阴极及方法。本发明采用具有陷光结构的透射式光阴极,陷光结构为在透明导电基底的下表面刻蚀出具有周期性结构的凹槽阵列,降低基底对入射激光的反射,从而提高对入射激光的...
- 谢华木赵永龙欧阳东明
- 一种极高真空系统中的双碱光阴极镀膜组件及控制方法
- 本发明公开了一种极高真空系统中的双碱光阴极镀膜组件及控制方法。本发明的碱金属光阴极镀膜组件包括:基底旋转机构、中心支撑杆、六通、可压缩波纹管、波纹管法兰、液氮罐、热锚、样品台、加热元器件、基底固定位置和固定金属板;本发明...
- 谢华木全胜文
- 文献传递
- 一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法
- 本发明公开了一种超导量子比特的长寿命存储装置及其存储方法。本发明采用高品质因数的三维椭球射频超导薄膜腔,相对于目前所用的矩形腔,有较大优势:品质因数高达10<Sup>10</Sup>;并将超导量子比特与超导腔进行耦合,将...
- 谢华木林林刘克新
- 文献传递