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阎家铭

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文基金：国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇反相器
  • 1篇VDMOS
  • 1篇VDMOS器...
  • 1篇CMOS反相...
  • 1篇DC
  • 1篇DC/DC转...
  • 1篇DC/DC

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇包军林
  • 2篇张婧婧
  • 2篇陈晓东
  • 2篇阎家铭
  • 2篇杜磊
  • 2篇曹鹏辉
  • 1篇庄奕琪

传媒

  • 2篇电子科技

年份

  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计
2009年
文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。
曹鹏辉杜磊包军林张婧婧陈晓东阎家铭
关键词：DC/DC转换器VDMOS器件
CMOS反相器辐射加固电路设计被引量：1
2009年
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。
陈晓东杜磊庄奕琪包军林张婧婧曹鹏辉阎家铭
关键词：总剂量辐照
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共1页<1>
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