您的位置: 专家智库 > >

陈晓东

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金国家部委预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇二极管
  • 2篇桥式电路
  • 2篇全桥
  • 2篇稳压管
  • 2篇开关二极管
  • 2篇DC
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇电容
  • 1篇电阻
  • 1篇整流
  • 1篇射线
  • 1篇同步整流
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇限流电阻
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇界面态
  • 1篇功率

机构

  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 6篇陈晓东
  • 3篇包军林
  • 3篇杜磊
  • 2篇李小平
  • 2篇张婧婧
  • 2篇谢楷
  • 2篇史军刚
  • 2篇庄奕琪
  • 2篇刘彦明
  • 2篇阎家铭
  • 2篇曹鹏辉
  • 1篇张莹
  • 1篇杨丽侠
  • 1篇何亮
  • 1篇赵志刚
  • 1篇李群伟

传媒

  • 2篇电子科技
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 3篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
基于SBD的DC//DC转换器辐射损伤预兆单元研究
随着微电子技术和航空航天技术的发展,DC//DC转换器广泛应用于航天等辐射环境中,其在辐射环境下的可靠性保障问题成为人们研究的热点。在电路系统中加入状态监测模块,实时掌控其工作状态,在辐射失效之前提前预警,能够有效的提高...
陈晓东
关键词:SBD
文献传递网络资源链接
VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计
2009年
文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。
曹鹏辉杜磊包军林张婧婧陈晓东阎家铭
关键词:DC/DC转换器VDMOS器件
CMOS反相器辐射加固电路设计被引量:1
2009年
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计,对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能,利用电路模拟软件Pspice进行了模拟。模拟结果显示,采用该电路结构的反相器有很好的抗辐射性能。
陈晓东杜磊庄奕琪包军林张婧婧曹鹏辉阎家铭
关键词:总剂量辐照
自驱动的全桥同步整流电路
本发明公开了一种自驱动的全桥同步整流电路,主要解决传统二极管桥式电路整流损耗大、热稳定性差、散热体积大及现有桥式同步整流驱动电路复杂的问题。该整流电路由构成桥式连接的四个完全相同的自驱动有源开关、电源U、滤波电容C和负载...
李小平刘彦明谢楷史军刚陈晓东平鹏飞
文献传递
^(60)Co γ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
2008年
在肖特基二极管(Schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.
杨丽侠杜磊包军林庄奕琪陈晓东李群伟张莹赵志刚何亮
关键词:肖特基二极管^60COΓ射线界面态
自驱动的全桥同步整流电路
本发明公开了一种自驱动的全桥同步整流电路,主要解决传统二极管桥式电路整流损耗大、热稳定性差、散热体积大及现有桥式同步整流驱动电路复杂的问题。该整流电路由构成桥式连接的四个完全相同的自驱动有源开关、电源U、滤波电容C和负载...
李小平刘彦明谢楷史军刚陈晓东平鹏飞
文献传递
共1页<1>
聚类工具0