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邵丙铣

作品数:70 被引量:155H指数:7
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目“上海-应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 63篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 55篇电子电信
  • 12篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 15篇电路
  • 10篇集成电路
  • 7篇功耗
  • 6篇低功耗
  • 6篇纳米
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化铝
  • 5篇电压
  • 5篇封装
  • 4篇低电压
  • 4篇镀镍
  • 4篇金属化
  • 4篇金属化工艺
  • 4篇化学镀
  • 4篇放大器
  • 4篇感器
  • 4篇半导体
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电子器件

机构

  • 70篇复旦大学

作者

  • 70篇邵丙铣
  • 10篇汪荣昌
  • 10篇宗祥福
  • 8篇戎瑞芬
  • 8篇王颀
  • 7篇刘丽蓓
  • 6篇顾志光
  • 6篇江素华
  • 6篇陈扬文
  • 5篇胡向洋
  • 4篇朱云涛
  • 4篇李晴
  • 3篇王春锴
  • 3篇谢毅
  • 3篇肖斐
  • 3篇陈祥君
  • 3篇黄玮石
  • 3篇单智阳
  • 3篇叶明新
  • 3篇王炜

传媒

  • 18篇微电子学
  • 11篇微电子学与计...
  • 8篇固体电子学研...
  • 4篇半导体技术
  • 3篇电子学报
  • 3篇复旦学报(自...
  • 3篇功能材料
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇分析化学
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇化学传感器
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2010
  • 6篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 4篇2005
  • 5篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 9篇2001
  • 7篇2000
  • 6篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
70 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属/Ⅲ-Ⅴ族半导体界面费米能级的位移
1991年
本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金属复盖度的增加而增加的模型进行理论计算,计算结果与实验曲线相吻合。
邵丙铣
关键词:费米能级
高压条件下合成硅纳米线被引量:3
2007年
随着现代芯片集成度的不断增加。晶体管的特征尺寸持续减小.著名的摩尔定律受到了极大的挑战。按现在材料、工艺技术的发展,体硅技术在今后发展一段时间后将达到其极限.这就要求有新的材料、新的工艺来满足将来IC工业发展要求。硅纳米线由于其本征材料仍然是硅.能与现代微电子技术相兼容.受纳米尺度量子效应、库仑阻塞效应、表面效应等因素的影响.
陈扬文江素华邵丙铣汪荣昌
关键词:硅纳米线
Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
2008年
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。
陈扬文江素华邵丙铣戎瑞芬汪荣昌顾志光王家楫
关键词:SI纳米线磁控溅射退火
CSL结构在集成锁相环中的应用被引量:3
1998年
本文论述了利用新型的CSL(CurrentSteeringLogic)结构组成锁相环压控振荡器所带来的抗噪声能力强、结构简单、高速、高集成度、功耗低等特点,并与目前最常用的两种环形振荡器结构的压控振荡器作了详细的特性方面的比较.
彭军邵丙铣
关键词:压控振荡器锁相环
16×16位高速低功耗并行乘法器的实现被引量:9
2003年
 基于0.6μm双阱CMOS工艺模型,实现了一种高速低功耗16×16位并行乘法器。采用传输管逻辑设计电路结构,获得了低功耗的电路性能。采用改进的低功耗、快速Booth编码电路结构和4-2压缩器电路结构,它在2.5V工作电压下,运算时间达到7.18ns,平均功耗(100MHz)为9.45mW。
徐锋邵丙铣
关键词:BOOTH编码并行乘法器VLSI低功耗
一种低电压的全差分OTA被引量:2
2005年
文章介绍了一种低电压的全差分OTA的实现,通过电流驱动体效应(CDB)使低电源电压OTA设计成为可能。提出了一种新的共模反馈结构(CMFB)实现了全差分输出,提高了OTA的输出范围。文章采用0.18umCMOS工艺库。SPICE仿真结果表明:在电源电压为800mV时,OTA的增益为59.2DB,单位增益带宽为14.3MHz,输出范围为674mV。
朱云涛谢毅邵丙铣
关键词:低电压共模反馈
应用于蓝牙技术发展的LTCC——AlN多层布线工艺
2002年
现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展。而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术。AlN陶瓷具有优良的综合性能。研究了AlN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术 ,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺。
汪荣昌顾志光戎瑞芬李勇邵丙铣宗祥福
关键词:蓝牙技术金属化工艺
一种低失调电压的集成电容压力传感器
1986年
本文提出了一种低失调电压的硅膜集成压力传感器,它具有二极管电桥、固定电容与参考电容以及内部调整电阻。参考电容与调整电阻串联(应用JFET代替电阻),后者可由改变电压而改变。本文推得了在此形式下的输出电压与外界压力的关系式。理论计算和实验结果都表明:靠改变外加电压以改变阻值可将集成电容压力传感器的失调电压减小到接近于零。文中也详细简述了设计原则和制备工艺。
邵丙铣
关键词:压力传感器失调电压硅膜输出电压线性度图形尺寸
铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用被引量:12
2001年
近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 。
张兆强郑国祥黄榕旭杨兴邵丙铣宗祥福
关键词:镶嵌技术深亚微米集成电路工艺
秋水仙碱传感器的研制及分析应用被引量:2
1993年
秋水仙碱是一种对细胞有丝分裂毒的生物碱,能抑制癌细胞的增长。临床上除对痛风急性发作有特异性作用外,近年来已用于治疗癌症。特别是对乳腺癌有一定的疗效,对皮肤癌、白血病和何杰氏病等有一定作用。秋水仙碱测定的方法通常有滴定法、紫外分光光度法、荧光法和高效液相色谱法等。这些方法测定手续并不简单。我们曾研究了秋水仙碱的脉冲极谱行为及测定。而秋水仙碱的膜电极及其应用,则迄今未见报道。本文研制了秋水仙碱传感器、试验了该电极的各种特性。Nernst 响应范围为3.2×10^(-5)~3.2×10^(-3)mol/L。响应迅速,性能稳定;干扰少,选择性较好。应用于秋水仙碱药物制剂的分析,简便、快速,结果良好。
汪乃兴赵滨邵丙铣
关键词:秋水仙碱传感器生物碱
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