汪荣昌
- 作品数：31 被引量：78H指数：6
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 复合球栅阵列CBGA封装器件热循环损伤的有限元模拟被引量：6
- 2003年
- 用粘塑性的本构方程描述62Sn36Pb2Ag和96.5Sn3.5Ag两种常用焊料的材料模式,使用通用有限元分析软件ANSYS模拟了CBGA(CeramicBallGridArray)封装器件焊球阵列应力应变的分布以及塑性功的积累;基于Darveaux等人提出来的塑性能量积累损伤方程,从热循环损伤的角度考察了焊点的可靠性;并对单一焊点阵列器件和复合焊点阵列封装器件的性能进行了比较.
- 李勇汪荣昌顾之光戎瑞芬
- 关键词：CBGA封装器件有限元模拟
- 随机负载下硅塑性行为的预测
- 本文对圆柱体平头刻痕器作用下使Si处于随机负载情况下的塑性行为用有限元方法进行了分析。对应力场的发展进行了模拟。结果显示主应力场的方向总是随机改变的。而残余张应力场的方向变为垂直与刻痕表面而压应力场的方向则平行与刻痕表面...
- 王建颖宗祥福周正刚汪荣昌翁于闵
- 关键词：硅
- 文献传递
- 稳健估计用于氮化铝金属化工艺的研究
- 2001年
- 应用化学镀镍的方法实现了氮化铝的金属化。为得到较大的氮化铝金属化层粘附力 ,运用基于稳健估计的神经网络研究氮化铝金属化中化学镀镍的反应参数与金属层粘附力的关系。为使神经网络更加稳健 ,本文根据统计学原理 ,在前馈神经网络基础上 ,采取稳健估计方法改进神经网络。建立了定量预测粘附力性能的模型 ,并进行实验验证。确定金属化工艺中稳定的优化工作区域。结果表明 ,稳健估计方法既有传统神经网络的优点 ,又有较强的抵抗异常值的能力 ,具有较广泛的实用性。
- 胡向洋汪荣昌邵丙铣宗祥福
- 关键词：神经网络化学镀镍电子封装印刷线路板氮化铝金属化工艺
- 固体继电器及其应用
- 1989年
- 一、概述固体开关,又名固体继电器或固体动率控制器,是一种无触点电子开关。当加上触发信号时,其主回路呈导通状态。在控制回路与负载回路之间具有电隔离,无机械触点,具有和电磁继电器一样的功能。固体继电器(SSR)是一个四端组件,两个为输入端,两个为输出端,它至少由三部分组成:1.输入或控制电路;2.隔离部分;3.输出或负载电路。图1是AC—SSR的结构框图。二、固体继电器的特点与电磁继电器相比,SSR有以下几个特点:
- 汪荣昌谢宽于洋
- 关键词：固体继电器继电器
- 掺锂非晶硅薄膜的电学性质
- 1989年
- 用硅烷的辉光放电分解伴随着锂蒸发来制备掺锂的非晶硅薄膜.测量了薄膜的直流电导率与温度以及与所加的测试电压的关系.发现在温度范围为350～500K和高场强(高于10~3V/cm)情况下掺锂薄膜存在离子电导现象.
- 宗祥福黄家明汪荣昌
- 关键词：非晶硅电学性质
- 全文增补中
- 低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究被引量：6
- 2003年
- 基于氮化铝陶瓷基片厚膜导体浆料理论,开发出应用于低温共烧氮化铝流延坯、硼硅酸盐玻璃粘结相的银浆,并系统研究了共烧过程,解决了常见的导线球化问题。成功地进行了3层氮化铝复合材料基板的低温共烧银金属布线。
- 李勇汪荣昌戎瑞芬顾之光廖淼
- 关键词：多芯片组件低温共烧氮化铝球化
- 铁电薄膜研究动向
- 1996年
- 我们出席了在旧金山召开的美国材料研究学会1996年春季年会（MRS 1996 SpringMeeting）。铁电薄膜分会是30个分会之一,接受论文约120篇,其中特邀报告约25篇。主要讨论了以下几个专题。1 高介电常数薄膜在DRAM中的应用这一专题的报告有11篇,所关注的主要材料是srTiO3（ST）,Bal-xSrxTiO3（BST）。
- 黄长河汪荣昌
- 关键词：铁电薄膜薄膜物理学
- 应用于蓝牙技术发展的LTCC——AlN多层布线工艺
- 2002年
- 现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展。而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术。AlN陶瓷具有优良的综合性能。研究了AlN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术 ,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺。
- 汪荣昌顾志光戎瑞芬李勇邵丙铣宗祥福
- 关键词：蓝牙技术金属化工艺
- 以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究被引量：1
- 2000年
- 详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。
- 胡向洋汪荣昌顾志光戎瑞芬邵丙铣宗祥福
- 关键词：氮化铝陶瓷基板
- 适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成被引量：2
- 2008年
- 采用SiO为起始原料、Ar为载气，蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下，成功地合成了超长的单晶硅纳米线；以SiO和P205混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂；借助电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）分析了硅纳米线P掺杂效果；利用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、X射线衍射仪（XDR）等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征，测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径，但其长度随着温度的升高而变长，在1180℃的生长区域，硅纳米线的长度达到了150μm；硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除。
- 陈扬文江素华刘丽蓓邵丙铣顾志光戎瑞芬汪荣昌
- 关键词：热蒸发掺杂
