赵洪泉
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制被引量：2
- 2007年
- 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
- 于丽娟赵洪泉杜云李敬黄永箴
- 关键词：直接键合
- 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法
- 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V-Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片...
- 赵洪泉于丽娟黄永箴
- 文献传递
- Si与InP键合研究及Si基InGaAsP激光器的研制
- 晶片键合技术和剥离技术的发展使得不同厚度的薄膜可以通过键合技术键合到不同的衬底材料上，这样就极大的拓展了材料应用的空间，使不同材料和器件之间的集成应用成为可能。晶片键合和薄膜转移技术已经成为提高光电器件、电子集成电路和微...
- 赵洪泉
- 关键词：晶片键合
- 一种低温晶片直接键合方法
- 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子...
- 赵洪泉于丽娟黄永箴
- 文献传递
- 一种低温晶片直接键合方法
- 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子...
- 赵洪泉于丽娟黄永箴
- 文献传递
- 键合法制备硅基1.55μmInP-InGaAsP量子阱激光器被引量：1
- 2006年
- 在硅基上成功地制备出了1.55μmInPInGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InPInGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.
- 于丽娟赵洪泉杜云黄永箴
- 关键词：直接键合硅基量子阱激光器
- 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法
- 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V－Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片...
- 赵洪泉于丽娟黄永箴
- 文献传递
