许佳雄
- 作品数：55 被引量：41H指数：4
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法
- 本发明涉及光电材料技术领域，尤其涉及一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法。本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：衬底上依次循环真空溅射锌、锡和铜银合金，得到前驱体；步骤2：将所述前驱体进行硫化，...
- 许佳雄黄晓梦林俊辉邱磊庄楚楠
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- 一种基于硼酸为反应剂降低铁硅铝磁粉芯损耗的表面绝缘处理方法
- 本发明涉及一种基于硼酸为反应剂降低铁硅铝磁粉芯损耗的表面绝缘处理方法，属于磁性材料制备技术领域；包括如下步骤：（1）将铁硅铝磁粉置于硼酸水溶液中进行高能球磨，使其表面被硼酸水溶液充分润湿；（2）湿润后的铁硅铝磁粉经120...
- 何玉定杨元政谢致薇陈先朝许佳雄
- 文献传递
- 基于FeSi_2薄膜的异质结的制备与特性研究
- 在过渡金属硅化物中，环境友好型半导体FeSi_2薄膜具有0.80eV-0.89eV的窄带隙，在波长1.5m附近具有发光和光响应特性，且光吸收系数为105cm-1数量级，具有良好的光电特性。 论文用磁控溅射法制备a-Si/...
- 许佳雄
- 关键词：异质结光伏特性磁控溅射
- 周期性前驱体的预硫化处理对Cu2ZnSnS4薄膜的影响被引量：2
- 2020年
- Cu2ZnSnS4薄膜具有组成元素来源丰富、吸收系数高等优点,是理想的薄膜太阳能电池吸收层材料。采用磁控溅射法沉积周期性金属叠层前驱体,再进行两步硫化处理制备出Cu2ZnSnS4薄膜,分析第一步硫化(即预硫化)对Cu2ZnSnS4薄膜特性的影响。结果表明,预硫化处理可促进前驱体的硫化反应。经过预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶度优于未进行预硫化处理的Cu2ZnSnS4薄膜。当预硫化温度为350℃时,增加预硫化时间有利于硫化反应的进行,并抑制Sn元素损失,但过长的预硫化时间导致Cu2ZnSnS4薄膜中易出现二次相,影响薄膜的特性。预硫化温度350℃、预硫化时间10 min的Cu2ZnSnS4薄膜结晶度最优,薄膜组分具有贫Cu、富Zn特性,且薄膜表面无孔隙。
- 黄晓梦许佳雄
- 关键词：预硫化结晶度磁控溅射
- 一种三元化合物半导体薄膜的制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三元化合物半导体薄膜的制备方法。本发明提供了一种三元化合物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将铜盐溶液和锡盐溶液混合并进行第一超声，形成含有Cu元素和Sn元素的第一溶液；步...
- 许佳雄刘怀远邱磊庄楚楠
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- 基于闭合磁路的框式薄膜电感器及其制作方法
- 本发明涉及一种基于闭合磁路的框式薄膜电感器及其制作方法，电感器包括下层磁芯层、下层绝缘层、线圈、线圈磁膜、上层绝缘层、上层磁芯层，线圈的顶面及底面分别设有上层绝缘层及下层绝缘层，上层磁芯层设在上层绝缘层的顶面，下层磁芯层...
- 陈赵豪谢致薇杨元政陈先朝何玉定许佳雄
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- 一种半导体薄膜材料
- 本申请属于光催化材料制备领域，具体涉及一种半导体薄膜材料。本发明所提供的半导体薄膜材料由磁控溅射法在衬底的表面交替沉积CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜和CuO薄膜制得。本发明通过两种半导体薄膜材料的复合以及纳米尺寸...
- 郑之永谢致薇张雅丽杨元政许佳雄
- 一种具有光学特性和整流效应的复合多层薄膜材料及其制备方法和应用
- 本发明属于光催化材料技术领域，尤其涉及一种具有光学特性和整流效应的复合多层薄膜材料及其制备方法。本发明提供了一种复合多层薄膜材料，包括交替设置的CuCrO<Sub>2</Sub>薄膜和CuO薄膜；交替设置的一层所述CuC...
- 张雅丽谢致薇杨元政陶平均许佳雄何玉定
- 硫化时间对固态硫化铜锌锡硫薄膜性能的影响被引量：2
- 2016年
- 采用固态硫化法硫化铜锡锌(CZT)预制膜制备铜锌锡硫(Cu_2ZnSnS_4,CZTS)薄膜,研究硫化时间对CZTS薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和紫外拉曼光谱仪(Raman)分析薄膜的物相结构,通过X射线能谱仪(EDS)分析薄膜的化学组分,采用扫描电镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,利用UV-Vis研究薄膜的光学特性。结果表明:随着硫化时间延长,Cu含量增加,Zn含量明显减少。硫化40min以上制备的薄膜出现导致禁带宽度减小的杂相SnS,Sn2S3和Cu_2SnS_3。当硫化时间为20min时,样品为单相的CZTS薄膜,薄膜表面均匀平整,化学组分贫Cu富Sn,吸收系数达104cm-1,禁带宽度Eg约为1.56eV。
- 曹中明杨元政许佳雄谢致薇
- 关键词：磁控溅射硫化时间
- 一种基于电容传感器的磁控形状记忆合金的应变测试装置
- 本发明公开了一种基于电容传感器的磁控形状记忆合金的应变测试装置，通过把磁控记忆合金的磁致应变等微小形变量转化为平行板电容器探头的平行极板面积的变化，将位移量转换为电容值的变化量。有效解决磁性记忆合金受周围强磁场影响的技术...
- 杨少杰李植涵陈丕志谢致薇袁乾开韦东海杨伟鑫杨元政陈先朝何玉定许佳雄蔡伟通
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