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董鹏
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16
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
文化科学
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合作作者
王军喜
中国科学院半导体研究所
李晋闽
中国科学院半导体研究所
闫建昌
中国科学院半导体研究所
孙莉莉
中国科学院半导体研究所
曾建平
中国科学院半导体研究所
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李晋闽
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一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法,其涉及微电子技术领域,主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括:衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、...
曾建平
闫建昌
王军喜
丛培沛
孙莉莉
董鹏
李晋闽
文献传递
在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法
一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法,包括以下步骤:步骤1:在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜;步骤2:在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶;步骤3:在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜;步骤4:利用微纳米球的聚光作用,通过光刻...
董鹏
王军喜
闫建昌
张韵
曾建平
孙莉莉
李晋闽
文献传递
紫外共振腔发光二极管
本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置,该装置包括:一种共振腔紫外发光二极管装置,其包括:第一腔,其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上...
曾建平
闫建昌
王军喜
丛培沛
孙莉莉
董鹏
李晋闽
文献传递
氮化镓激光器腔面的制作方法
本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法,包括:在衬底上外延生长氮化镓激光器结构,得到外延片,氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧...
田迎冬
董鹏
张韵
闫建昌
孙莉莉
王军喜
李晋闽
文献传递
纳米图形蓝宝石衬底上MOCVD外延生长AlN
AlGaN基的深紫外LED在消毒杀菌、生物医学、保密通信、紫外固化等领域具有广泛的应用前景。高质量、低位错密度的AlN模板是实现深紫外LED高效率发光的重要基础。为了降低A1N模板的位错密度,有研究组在微米级(2~5μm...
董鹏
闫建昌
吴奎
曾建平
丛培沛
孙莉莉
蓝鼎
王军喜
李晋闽
利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法
本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法,包括如下步骤:选择表面平整的透明材料作为透明衬底;在透明衬底上铺上单层自组装密排小球;将单层自组装密排小球刻蚀拉开,形成非密排小球;在非密排小...
杜成孝
董鹏
郑海洋
魏同波
严清峰
吴奎
张逸韵
王军喜
李晋闽
提高紫外发光二极管出光效率的方法
一种提高紫外发光二极管出光效率的方法,包括如下步骤:步骤1:一紫外发光二极管外延片;步骤2:在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层;步骤3:将氮化物层的表面粗化,完成制备,该方法简单方便易行,与传统LED...
董鹏
王军喜
闫建昌
张逸韵
孙莉莉
曾建平
李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括:衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层;其中,所述p型AlGaN势垒层上制作有D...
曾建平
闫建昌
王军喜
丛培沛
孙莉莉
董鹏
李晋闽
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利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法
本发明公开了一种利用自组装小球在透明衬底上制作用于光刻版的金属网格模板的方法,包括如下步骤:选择表面平整的透明材料作为透明衬底;在透明衬底上铺上单层自组装密排小球;将单层自组装密排小球刻蚀拉开,形成非密排小球;在非密排小...
杜成孝
董鹏
郑海洋
魏同波
严清峰
吴奎
张逸韵
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微纳图形衬底紫外LED外延研究
基于氮化物半导体材料的紫外发光二极管(UVLED,ultraviolet light-emitting diode)在生化探测、杀菌消毒、聚合物固化、非视距通讯等领域具有广阔的应用前景,同时具有低电压,低功耗、小巧便携、...
王军喜
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