董阳春
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
- 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞 (MIT)晶体,利用垂直 Bridgman 法成功生长了 MIT 单晶,并采用 X-ray 衍射分析、UV-NIR-IR 光谱分析及 Hall 测试对晶体的形态结构及光电性能进行了...
- 王领航张继军介万奇董阳春
- 关键词：晶体生长近红外探测器
- 文献传递
- 碲铟汞晶体的生长研究被引量：1
- 2007年
- 以高纯Hg、In、Te单质为原料,在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料,并且利用该多晶原料,在特殊设计的坩埚中,成功地生长了HgInTe单晶体。X射线衍射分析证明,所生长的HgInTe晶体为缺陷闪锌矿结构,晶格常数a=0.6293nm,是一种高质量的完整单晶体。
- 王领航董阳春介万奇
- 关键词：晶体生长近红外探测器
- 碲铟汞晶体的生长及其电学特性被引量：2
- 2007年
- 利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3(MIT)(x=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×1013cm-3,载流子迁移率为4.6×102cm2/(V.s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
- 王领航董阳春介万奇
- 关键词：晶体生长近红外探测器
- 近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀被引量：1
- 2008年
- 研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形。在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pitdensity)约在105/cm2数量级。HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成。HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹。该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好。
- 董阳春王领航介万奇
- 关键词：腐蚀坑半导体材料
- HgInTe晶体的生长及其性能研究被引量：3
- 2007年
- 利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体，其在400～4000cm^-1范围内的红外透过性能较好，达到50％～55％，晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的。
- 王领航董阳春介万奇
- 关键词：晶体生长光电半导体材料近红外探测器
- 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
- 2007年
- 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。
- 王领航张继军介万奇董阳春
- 关键词：晶体生长近红外探测器
