- Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长及结晶质量评价被引量：1
- 2007年
- 采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为＋30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭。采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量，结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构，半峰宽为47．2arcsec，结晶质量良好。采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷，包括位错，Te夹杂和孪晶。采用光学显微镜，扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究。结果表明，晶体中位错密度在10^5～10^6cm^-2之间。晶体局部存在％夹杂相，尺寸为1-5μm。晶体中孪晶主要以共格孪晶存在。并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法。
- 杨波介万奇张继军白旭旭
- 关键词：X射线粉末衍射位错孪晶
- CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析
- 采用透射电子显微镜对 CdznTe 晶体材料的缺陷特性进行了分析．在(111)面的透射电镜明场像中,观察到了棱柱位错环、位错墙、沉淀相、层错及倾斜的孪晶界面．应力是位错形成的主要原因,棱柱位错环的产生是由于沉淀相粒子在基...
- 曾冬梅王涛查钢强张继军介万奇
- 关键词：CDZNTE透射电子显微镜固液界面
- 文献传递
- In掺杂对Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te巨法拉第效应的影响
- 2008年
- 常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te（以下简称Cd0.8Mn0.2Te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关：当光子能量在1．63～1．72eV范围内逐渐增加时，未掺In的测量值的变化范围是710～1820（°）／cm·T；当In浓度为8．96×10^16 atoms／cm^3时，Verdet常数增大到720-1960（°）／cm·T：当In浓度n分别为2．39×10^17，4．48×10^18 atoms／cm^3时，Verdet常数分别减小到660～1630，490-1090（°）／cm·T；当In浓度达到2．99×10^19 atoms／cm^3时，在1．63～1．70eV的光子能量范围内，Verdet常数减小到460～740（°）／cm·T。低掺In条件下，Verdet常数的增大是由于价带电子数增多，价带类P电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强引起的；在高掺In量下，由于导带类s电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强，导带能级分裂进一步减小，导致Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数减小。
- 栾丽君介万奇张继军
- 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
- 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞 (MIT)晶体,利用垂直 Bridgman 法成功生长了 MIT 单晶,并采用 X-ray 衍射分析、UV-NIR-IR 光谱分析及 Hall 测试对晶体的形态结构及光电性能进行了...
- 王领航张继军介万奇董阳春
- 关键词：晶体生长近红外探测器
- 文献传递
- In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响
- 采用垂直 Bridgman 法生长了 In 掺杂 CdMnTe 晶体(CdMnTe：In)和本征的 CdMnTe 晶体(CdMnTe)．X 射线粉末衍射、X 射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结...
- 张继军王领航王涛曾冬梅介万奇
- 关键词：CDMNTE电阻率红外透过率
- 文献传递
- 垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
- 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬...
- 介万奇徐亚东王涛刘伟华杨戈张继军
- 文献传递
- In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.3Mn0.2Te晶体（CdMnTe：In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体（CdMnTe）。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明，所生长晶体均为立方闪锌矿结构，半峰宽为40～80arc Sec，位错密度为100～100cm^-2，结晶质量良好．In掺杂不影响晶体的结构和结晶质量。电流．电压（I-V）测试表明，CdMnTe：In晶体的电阻率为1～3×10^9Ω·cm，与CdMnTe晶体相比上升了3个数量级．近红外光透过光谱（IR transmission）研究发现In掺杂后CdMnTe晶体红外透过率降低，在波数范围4000～1000cm^-1，CdMnTe晶体红外透过率为51．2％～56．4％，而CdMnTe：In的红外透光率为15．4％～6％。
- 张继军王领航王涛曾冬梅介万奇
- 关键词：CDMNTEX射线衍射电阻率红外透过率
- 稀释磁性半导体Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体的退火改性被引量：3
- 2009年
- 运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件。利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响。结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8''降至108'',红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105Ω.cm提高到4.49×106Ω.cm。由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比。
- 郝云霄孙晓燕张继军介万奇
- 关键词：点缺陷退火
- CdZnTe晶体缺陷的透射电子显微分析被引量：1
- 2007年
- 采用透射电子显微镜对CdZnTe晶体材料的缺陷特性进行了分析。在（111）面的透射电镜明场像中，观察到了棱柱位错环、位错墙、沉淀相、层错及倾斜的孪晶界面。应力是位错形成的主要原因，棱柱位错环的产生是由于沉淀相粒子在基体上产生错配应力；而位错网络与位错墙是两种热应力联合作用于晶体边缘的结果。晶体生长过程中，液固界面生长形态从平界面向胞状界面发展产生的沉淀相衬度不同于由于Te原子溶解度的回退产生的沉淀相衬度。CdZnTe晶体中的堆跺层错和孪晶与固液界面的稳定性相关。
- 曾冬梅王涛查钢强张继军介万奇
- 关键词：CDZNTE透射电子显微镜固液界面
- 新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
- 2007年
- 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。
- 王领航张继军介万奇董阳春
- 关键词：晶体生长近红外探测器
