胡益培
- 作品数：6 被引量：21H指数：2
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- ZnS纳米材料的光致发光和光催化性能被引量：2
- 2011年
- 利用水热法制备ZnS纳米材料,通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜术（SEM）、光致发光（PL）对ZnS的结构及其物理性质进行研究,同时探讨退火对样品性能的影响.通过光谱分析发现,在400~650 nm附近有525 nm左右的绿光发射峰,该峰峰强随ZnS前驱体溶液中n（Zn（CH3COO）2）/n（（NH2）2CS）的增加而明显减弱,从不同比例样品的对比可以得出525 nm处的绿光发射峰是由ZnS纳米结构中的锌空位而引起.制备的ZnS纳米颗粒有良好的光催化效果.对样品进行高温退火处理,发现样品退火后结晶度升高,PL绿光发射峰峰强明显降低,催化性能也从50%上升到70%,说明高温退火能有效修复ZnS纳米颗粒在制备过程中由于浓度不均而引起的锌空位.
- 胡益培陈海涛曾祥华金豫浙李建华
- 关键词：硫化锌水热法光致发光光催化退火
- ZnS纳米材料的光致发光和光催化性能的研究
- 利用水热法制备ZnS纳米结构,通过XRD,SEM,PL对ZnS的结构及其物性进行了研究,同时讨论了退火对样品性能的影响。通过光谱分析发现,在400～650nm附近有525nm左右的绿光发射峰,该绿光发射峰强随着ZnS前驱...
- 胡益培陈海涛曾祥华金豫浙李建华
- 关键词：ZNS水热法PL光催化
- ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质被引量：16
- 2011年
- 本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强.
- 李建华曾祥华季正华胡益培陈宝范玉佩
- 关键词：硫化锌电子结构光学性质
- GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应
- 本文用4万居里的60Co源(剂量率2×105 rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行五种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度,最大半峰宽(FWHM)和电流...
- 金豫浙胡益培杨义军曾祥华
- 关键词：GAN发光二极管辐照效应
- 怎样使学生在探究学习中提高科学素养——《探究凸透镜成像的规律》教学设计过程中的思考
- 2011年
- 本文以《探究凸透镜成像的规律》为案例，介绍了在教学设计过程中注重学生探究技能训练的做法．
- 刘小兰胡益培张锡娟
- GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应被引量：3
- 2010年
- 本文用4×104Ci(1Ci=3.7×1010Bq)的60Co源(剂量率2×105rad(Si)/h)对GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED进行5种剂量的γ射线的辐照实验.通过辐照前后蓝光LED的波长、色纯度、最大半峰宽(FWHM)和电流-电压(I-V)、电流-光通量(I-F)等电光学特性分析,得到γ射线对GaN基LED器件的辐照效应.结果发现,辐照后LED器件的发光一致性和均匀性变差,在20mA工作电流下,最大剂量下器件发光强度衰减近90%,光通量衰减约40%,并得到器件的抗辐照能力的参数τ0Kγ为4.039×10-7rad.s-1,发现较低的正向偏压下(小于2.6V)器件的饱和电流随辐照总剂量增大而增大.
- 金豫浙胡益培曾祥华杨义军
- 关键词：GAN发光二极管Γ辐照辐照效应
