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程文芳

作品数：13 被引量：26H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇半导体
  • 7篇半导体器件
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 4篇单片集成
  • 4篇单片集成电路
  • 4篇晶体管
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇砷化镓
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇迁移率
  • 3篇微波
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米材料
  • 3篇功率器件
  • 3篇硅器件
  • 3篇毫米波
  • 3篇高电子迁移率

机构

  • 13篇南京电子器件...

作者

  • 13篇盛柏桢
  • 13篇程文芳
  • 1篇莫炻

传媒

  • 7篇电子元器件应...
  • 3篇电子与封装
  • 1篇世界电子元器...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇首届全国电子...

年份

  • 3篇2003
  • 7篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米技术与新型量子器件
1999年
纳米技术是二十世纪末期崛起的崭新科学技术。美国早在1992年就把纳米技术列为本世纪末,下世纪初的十大研究方向中的五个项目,美国国防部每年拨款3500万美元用于微系统研究。日本1995年宣布将这项技术列为此后十年的四大科技项目之一,是为期10年耗资2.25亿美元,有26家公司参加的微系统研究项目。德国在1993年提供10年内重点发展的九个领域八十项关键技术中,有四个领域12个项目涉及纳米技术。
盛柏桢莫炻程文芳
关键词：量子器件半导体器件
碳化硅器件及其应用
作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比，SiC独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。该文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技...
盛柏桢程文芳
关键词：碳化硅半导体器件
文献传递
微波半导体功率器件及其应用被引量：13
2003年
本文介绍了微波半导体技术主要特点,功率器件和单片集成电路特性及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：单片集成电路
纳米技术与器件的应用(1)被引量：1
2002年
主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。
盛柏桢程文芳
关键词：纳米材料半导体器件纳米电子学
微波半导体功率器件及其应用(第三部分)
2003年
本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：单片集成电路
微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(1)
2002年
主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：砷化镓集成电路MIMIC
纳米技术与器件的应用(3)被引量：1
2002年
主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。
盛柏桢程文芳
关键词：纳米材料半导体器件
微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（3）
2002年
主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：砷化镓集成电路
微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(2)被引量：1
2002年
主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：微波毫米波砷化镓单片集成电路
微波半导体功率器件及其应用(第二部分)被引量：1
2003年
本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。
程文芳盛柏桢
关键词：单片集成电路
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共2页<12>
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