盛柏桢
- 作品数：23 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 微波半导体器件及电路的应用概况(续二)
- 2000年
- 4.4 宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。
- 莫火石盛柏桢
- 关键词：微波器件半导体器件半导体电路
- 新型微波器件——异质结双极晶体管
- 1999年
- 主要叙述各种材料异质结双极晶体管的结构、特性及其应用情况。
- 盛柏桢顾忠良
- 关键词：晶体管微波器件双极晶体管砷化镓
- 微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(2)被引量：1
- 2002年
- 主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。
- 程文芳盛柏桢
- 关键词：微波毫米波砷化镓单片集成电路
- 微波半导体功率器件及其应用(第二部分)被引量：1
- 2003年
- 本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。
- 程文芳盛柏桢
- 关键词：单片集成电路
- 微波半导体器件及电路的应用概况
- 2000年
- 本文比较详细地介绍微波半导体技术的主要特点、器件和电路的特性、应用领域和实例。
- 莫火石盛柏桢
- 关键词：微波器件微波集成电路半导体器件
- 国外异质结双极晶体管的发展
- 1994年
- 随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。
- 盛柏桢
- 关键词：异质结双极晶体管半导体器件
- 微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)技术被引量：3
- 2004年
- 本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。
- 盛柏桢
- 关键词：微波单片集成电路毫米波单片集成电路高电子迁移率晶体管异质结双极晶体管
- 碳化硅器件及其应用
- 作为宽带半导体材料的SiC及其器件制造技术近年来得到迅速发展。与其它半导体材料相比，SiC独特的热特性和电特性，在功率和频率性能方面具有很高的品质因数。SiC还适应高温和辐射环境。该文主要叙述SiC材料的特性、器件制作技...
- 盛柏桢程文芳
- 关键词：碳化硅半导体器件
- 文献传递
- 微波半导体器件及电路的应用概况(续一)
- 2000年
- 4.2 异质结双极晶体管(HBT) 异质结双极晶体管的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率。HBT的功率密度高,相位噪声低,线性度好,单电源工作,虽然高频工作性能稍逊于PHEMT。
- 莫火石盛柏桢
- 关键词：半导体器件微波器件异质结双极晶体管
- 纳米技术与新型量子器件
- 1999年
- 纳米技术是二十世纪末期崛起的崭新科学技术。美国早在1992年就把纳米技术列为本世纪末,下世纪初的十大研究方向中的五个项目,美国国防部每年拨款3500万美元用于微系统研究。日本1995年宣布将这项技术列为此后十年的四大科技项目之一,是为期10年耗资2.25亿美元,有26家公司参加的微系统研究项目。德国在1993年提供10年内重点发展的九个领域八十项关键技术中,有四个领域12个项目涉及纳米技术。
- 盛柏桢莫炻程文芳
- 关键词：量子器件半导体器件
