齐鸣
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布被引量：1
- 1990年
- 本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。
- 齐鸣陈苹罗晋生
- 关键词：C-V半导体表面势
- 碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性
- 1993年
- 本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。
- 齐鸣罗晋生白■淳一山田巧野崎真次高桥清德光永辅小长井诚
- 关键词：掺杂INGAASMOMBE
- 重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性被引量：1
- 1993年
- 对用MOMBE法生长的重C掺杂p型GaAs进行了Raman散射研究,结合理论分析,较好地解释了p型GaAs中纵光学(LO)声子与空穴等离振子耦合(LOPC)模的Raman散射特性,证明它具有与n型状态不同的特点,根据实验结果讨论了重掺杂对Raman散射谱的影响,发现LOPC模的散射峰特征(位置和宽度)与重掺杂效应程度具有很大关系。
- 齐鸣罗晋生白樫淳一野崎真次高桥清德光永辅小长井诚
- 关键词：喇曼效应声子
- MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格
- 1993年
- 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10^(20)/cm^3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。
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- 关键词：化合物半导体晶体生长
- 直接热氮化SiO_2薄膜的电特性
- 1989年
- 对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。
- 齐鸣罗晋生
- 关键词：SIO2薄膜氮化高温退火电特性
- 具有超高掺杂基区的GaAs赝HBT分析被引量：1
- 1992年
- 超高掺杂GaAs具有明显的禁带变窄(BGN)效应,因此采用超高掺杂基区的GaAs同质晶体管也可获得HBT的效果.故称之为赝HBT(p—HBT)。本文根据实验结果讨论了超高掺杂情况下GaAs的BGN效应及其对有效本征载流子浓度的影响,并对np^+n型结构GaAs p—HBT的发射极注入效率和共发射极电流增益进行了理论分析。结果表明,当基区掺杂浓度高于1×10^(20)/cm^3时可以获得较好的器件特性。
- 齐鸣罗晋生
- 关键词：GAAS
- 掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长被引量：1
- 1993年
- 较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMG Ga(CH_3)_3,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。
- 齐鸣白樫淳一德光永辅野崎真次小长井诚高桥清罗晋生
- 关键词：P型半导体砷化镓
- GaAs/InGaAs应变异质结构临界厚度的Raman散射和PL谱分析
- 1993年
- 采用室温Raman散射和低温光致发光(PL)谱,对以TMG,固体As和固体In作为分子束源的MOMBE法生长的GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)单层异质结构和多量子阱结构中InGaAs应变层的临界厚度进行了实验研究。由应变引起的Raman散射峰位移,以及PL谱峰位置与应变和无应变状态下一维有限深势阱跃迁能量计算结果的比较可见,在In组分含量x=0.3的情况下,临界厚度H_c≤5nm,小于能量平衡理论的结果,而与力学平衡模型的理论值相近。
- 齐鸣罗晋生
- 关键词：砷化镓
