黄新明
- 作品数：14 被引量：16H指数：3
- 供职机构：南京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家重点基础研究发展计划陕西省普通高等学校重点学科专项资金建设项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 籽晶粒径分布对高效多晶硅晶体生长的影响被引量：6
- 2015年
- 采用不同粒径分布的单晶籽晶进行高效多晶硅铸锭,结果表明单晶籽晶的粒径分布对引晶效果影响显著。籽晶粒径在1~4mm范围时,引晶效果最佳;粒径大于4mm时,硅熔体流延现象的存在导致长晶初期晶体中位错密度偏高,少子寿命降低;粒径小于1mm时,细小的形核点也会影响晶体中的位错密度和少子寿命。对应电池片效率的结果也验证了该结论。
- 戚凤鸣张兆玉钟根香周绪成黄新明
- 关键词：位错密度
- 局部氮化硅包覆颗粒在高效多晶硅铸锭中的应用被引量：2
- 2017年
- 降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO_2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(O_i)含量升高。该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-Si O_2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒。结果显示采用适当粒径(300~500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O_i含量显著降低。
- 董慧尹长浩王梓旭钟根香周建华黄新明
- 关键词：异质形核
- 方石英籽晶辅助生长高效多晶硅的研究
- 2018年
- 以熔融石英颗粒作为籽晶的全熔法铸锭工艺已成为当前高效多晶硅的重要生产方法。但由于熔融石英为异质籽晶且为无定形结构,因而其引晶效果并不理想。采用方石英籽晶代替生产所用的熔融石英籽晶辅助高效多晶硅的初期形核及晶粒生长。结果显示:硅锭底部的初始晶粒得到明显细化,其平均粒径缩小约15.7%,且晶粒尺寸更加均匀,位错密度较熔融石英铸锭降低了21.5%,相应电池片的平均转化效率绝对提升近0.1%。
- 余云洋丁君京陈文亮张兆玉钟根香黄新明
- 关键词：晶粒尺寸位错密度电池效率
- 增强氮化硅涂层及其在晶体硅铸锭中的应用
- 采用改进溶胶凝胶法(sol-gel)制备增强氮化硅涂层(SG 涂层),并将其应用于准单晶硅铸锭及普通多晶硅铸锭.实验结果显示：1)采用溶胶凝胶法制备的氮化硅涂层,早期强度较常规喷涂法制备的涂层有显著的提高；2)氮化硅涂层...
- 尹长浩钟根香黄新明
- 关键词：SILICONNITRIDESILICONMULTI-CRYSTALLINESILICON
- 不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响被引量：1
- 2014年
- 研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。
- 苏杰黄美玲钟根香黄新明
- 关键词：多晶硅锗位错氧机械强度
- 掺锗高效多晶硅的性能研究
- 主要研究了掺锗对铸造高效多晶硅的性能影响,重点对比了掺锗与非掺锗高效多晶硅中的缺陷水平、杂质浓度及硅片的机械强度.研究表明:掺锗能够有效地降低高效多晶硅中的位错密度和金属杂质浓度,使得硅锭的平均少数载流子寿命提高约1μs...
- 苏杰钟根香黄新明
- 关键词：多晶硅太阳能电池机械强度位错密度
- 文献传递
- 高效多晶硅中石英坩埚内高纯隔离层的致密化处理
- 2015年
- 多晶硅铸锭过程中,在石英坩埚内壁制作高纯隔离层可以阻挡石英坩埚中的杂质向硅锭中扩散,改善硅方的边部红区,但高纯隔离层会引起硅锭中氧含量的升高。本文在高纯隔离层的基础上,通过级配的方法提升高纯隔离层结构的致密性并降低硅锭中的氧含量。
- 王梓旭尹长浩吴志勇吴志勇钟根香黄新明
- 关键词：多晶硅隔离层级配氧含量
- β-Si3N4涂层辅助定向生长高效多晶硅的研究
- 2019年
- Si3N4是铸造多晶硅锭常用的脱模材料,颗粒状的α相与棒状的β相是Si3N4涂层中常见的两种生成相。石英坩埚底部铺设的Si3N4涂层严重影响着晶体品质。采用α,β两种不同主导相的Si3N4制作涂层。结果表明,β相主导的Si3N4涂层,可以提高脱模和引晶效果,降低硅锭底部红区高度。
- 糜长成蔡延焕周兵董慧戚凤鸣黄新明
- 关键词：Β-SI3N4脱模
- 石英坩埚内高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用被引量：4
- 2015年
- 多晶硅铸锭过程中,石英坩埚侧壁中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭的边部,形成多晶硅锭边部的低少子寿命区(边部红区)。本文通过在坩埚侧壁上制作三种不同成分的高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中的扩散,以降低硅锭中的边部红区比例。结果表明采用掺钡高纯隔离层可以使硅锭中的边部红区显著变窄,基本消除硅方中的边部红区。
- 王梓旭尹长浩董慧吴志勇钟根香黄新明
- 关键词：隔离层
- 氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长高效多晶硅被引量：4
- 2014年
- 在坩埚底部铺设与硅熔体浸润性较好的石英颗粒辅助晶体生长可以生长出晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而提高了多晶硅电池的光电转换效率。研究了氮化硅涂层改性石英颗粒对多晶硅生长和脱模的影响。结果表明,氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长可以获得晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而降低多晶硅缺陷密度,提高多晶硅质量,同时实现石英颗粒与晶体硅之间的自发分离,避免多晶硅与石英颗粒间因粘结而产生的应力问题。
- 周海萍尹长浩张兆玉钟根香黄新明
- 关键词：石英颗粒
