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王梓旭

作品数:6 被引量:6H指数:2
供职机构:南京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家重点基础研究发展计划陕西省普通高等学校重点学科专项资金建设项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程冶金工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇隔离层
  • 4篇高纯
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇电池
  • 1篇形核
  • 1篇氧含量
  • 1篇异质形核
  • 1篇石英
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇级配
  • 1篇

机构

  • 6篇南京工业大学
  • 5篇东海晶澳太阳...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇西安华晶电子...

作者

  • 6篇王梓旭
  • 4篇尹长浩
  • 3篇黄新明
  • 2篇吴志勇
  • 2篇董慧
  • 1篇钟根香

传媒

  • 2篇硅酸盐通报
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇第十四届中国...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用
在多晶硅铸锭过程中,熔融石英坩埚和氮化硅涂层中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭中形成多晶硅锭边部和底部的低少子寿命区.本文通过在坩埚侧壁制作掺钡高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中扩散,降低硅锭中的边部红区比例...
王梓旭尹长浩董慧钟根香黄新明
关键词:太阳能电池多晶硅
文献传递
石英坩埚内高纯隔离层在高效多晶硅铸锭中的应用被引量:4
2015年
多晶硅铸锭过程中,石英坩埚侧壁中的杂质通过固相扩散进入并残留在多晶硅锭的边部,形成多晶硅锭边部的低少子寿命区(边部红区)。本文通过在坩埚侧壁上制作三种不同成分的高纯隔离层来阻挡坩埚侧壁中的杂质向硅锭中的扩散,以降低硅锭中的边部红区比例。结果表明采用掺钡高纯隔离层可以使硅锭中的边部红区显著变窄,基本消除硅方中的边部红区。
王梓旭尹长浩董慧吴志勇钟根香黄新明
关键词:隔离层
高效多晶硅中石英坩埚内高纯隔离层的致密化处理
在高纯隔离层的基础上,通过级配的方法提升高纯隔离层结构的致密性并降低硅锭中的氧含量.GP隔离层使用级配的方法,通过实验筛析出合理的粒径大小及晶体与非晶体间的比例,将不同目数的粒径按照一定的比例组合搭配在一起,以达到较高的...
王梓旭尹长浩吴志勇戚凤鸣钟根香黄新明
关键词:隔离层
高效多晶硅中石英坩埚内高纯隔离层的致密化处理
2015年
多晶硅铸锭过程中,在石英坩埚内壁制作高纯隔离层可以阻挡石英坩埚中的杂质向硅锭中扩散,改善硅方的边部红区,但高纯隔离层会引起硅锭中氧含量的升高。本文在高纯隔离层的基础上,通过级配的方法提升高纯隔离层结构的致密性并降低硅锭中的氧含量。
王梓旭尹长浩吴志勇吴志勇钟根香黄新明
关键词:多晶硅隔离层级配氧含量
局部氮化硅包覆颗粒在高效多晶硅铸锭中的应用被引量:2
2017年
降低多晶硅晶体中的位错密度,可以提高多晶硅电池的性能,目前多采用异质形核的方法来生长柱状晶粒,以降低晶体中的位错密度,但是目前普遍采用的以SiO_2颗粒作为异质形核点的方法容易导致硅锭底部和坩埚粘连,并导致硅锭中间隙氧(O_i)含量升高。该文通过制备局部氮化硅包覆的SiC-Si O_2复合颗粒(PCP)作为异质形核点来生长柱状晶粒。结果显示采用适当粒径(300~500μm)的PCP具有较好的引晶效果,且对应硅锭的O_i含量显著降低。
董慧尹长浩王梓旭钟根香周建华黄新明
关键词:异质形核
高效多晶硅铸锭中石英坩埚涂层的制备及应用
随着全球对能源的需求日益加大,环境和能源已经成为人类迫在眉睫必须解决的问题。太阳能由于其清洁无污染性、可再生性使其成为世界关注的能源。太阳能电池是利用硅和太阳光之间相互作用产生的无污染可再生电能。这种可再生能源的产生无需...
王梓旭
共1页<1>
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