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高建军

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电路
  • 1篇噪声因子
  • 1篇线性电路
  • 1篇模拟程序
  • 1篇模型分析
  • 1篇非线性
  • 1篇非线性电路
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇HEMT
  • 1篇HEMT器件

机构

  • 1篇电子部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇高建军
  • 1篇梁春广

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
非线性电路模拟程序中GaAs MESFET器件噪声因子的修正
1995年
利用测量得到的［Ｓ］参数和线性噪声参数Ｆ＿（ｍｉｎ）、Ｙ＿（ｏｐｔ）及Ｒ＿ｎ来获取器件的非线性本征噪声因子，修正了非线性电路模拟程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件噪声因子，并将实验结果与直接优化结果进行了比较。
高建军
关键词：噪声因子非线性电路
HEMT器件的非线性模型分析
1994年
本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。
高建军梁春广
关键词：半导体器件HEMT
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共1页<1>
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