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马双云

作品数：30 被引量：2H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 21篇气敏
  • 19篇多孔硅
  • 15篇传感
  • 14篇感器
  • 14篇传感器
  • 12篇多孔
  • 11篇复合结构
  • 10篇抛光
  • 10篇抛光表面
  • 9篇气敏元件
  • 9篇硅基
  • 8篇气敏传感器
  • 7篇氧化钨
  • 7篇气敏材料
  • 6篇硅表面
  • 6篇传感器元件
  • 4篇氮氧化物
  • 4篇电极
  • 4篇室温工作
  • 4篇纳米

机构

  • 30篇天津大学

作者

  • 30篇马双云
  • 29篇胡明
  • 27篇李明达
  • 25篇曾鹏
  • 21篇闫文君
  • 4篇崔珍珍
  • 4篇武雅乔
  • 2篇杜明月
  • 2篇刘青林
  • 2篇贾丁立
  • 2篇韦晓莹
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 22篇2013
  • 1篇2012
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件
本实用新型公开了一种多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件，其特征在于，硅基片衬底（1）的上面设置有多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6），多孔硅基氧化钨纳米线复合结构（6）由多孔硅（3）和一维氧化钨纳米线（2）组成，一维氧化钨纳...
胡明马双云曾鹏李明达闫文君
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一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法
本发明公开了一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法，以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒的方法，利用两种半导体材料间发生电荷转移形成的异质结，使其在室温条件下对有毒有害的氮氧化物气体能够快速检测。该方法具有设备简单、操作方...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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氧化钨纳米线/多孔硅复合结构的制备及气敏性能研究
近年来,空气中的二氧化氮(NO2)已经对环境和人类生活造成了极大的威胁。氧化钨(WO3)材料因其具有成本低廉、较高的灵敏度等优点,被认为是最具有发展前景的气敏材料。然而,氧化钨基气敏传感器的工作温度较高(>200oC),...
马双云
关键词：气敏传感器
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一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件
本实用新型公开了一种室温工作的高性能氮氧化物气敏元件，硅基片衬底为n型单面抛光的单晶硅基片，硅基片衬底的上面依次设置有多孔硅层、氧化钨薄膜和铜薄膜，铜薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型可在室温工作，且对...
胡明李明达曾鹏马双云闫文君
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多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法，以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒，利用两种半导体材料间协同效应，使其在室温条件下对有毒有害的氮氧化物气体能够快速检测。该方法具有设备简单、操作方便、工艺...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法
本发明公开了一种多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法，提供了一种以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒的方法，显著提高了敏感材料的比表面积，并且利用两种半导体材料间发生电荷转移形成的异质结，从而进一步提高了对探测气...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法
本发明公开了多孔硅基一维氧化钨纳米线结构气敏传感器元件的制备方法，首创采用了孔径在1-2μm，兼有孔道高度有序排列的硅基多孔硅复合一维氧化钨纳米结构为气敏材料，因巨大的比表面积以及表面活性可提供大量的气体吸附位置、气体扩...
胡明马双云曾鹏李明达闫文君
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一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件
本实用新型公开了一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件，其特征在于，硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片，硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2)，多孔硅层(2)上表面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)。本实用新型克...
胡明李明达曾鹏马双云闫文君
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用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法
本发明公开了一种用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法，首先采用p型单晶硅作为基底，利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层；再以金属钨作为耙材，利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜；最后，在水平...
胡明马双云崔珍珍李明达曾鹏闫文君
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铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法
本发明公开了一种铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法，是在多孔硅基氧化钨气敏材料中掺杂铜得到纳米复合气敏材料，采用直流反应磁控溅射法制备的铜薄膜厚度为4～16nm。本发明提供了一种可在室温工作，且对超低浓度（ppb...
胡明李明达曾鹏闫文君马双云
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