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闫文君

作品数:32 被引量:3H指数:1
供职机构:天津大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 24篇气敏
  • 20篇多孔硅
  • 16篇感器
  • 16篇传感
  • 16篇传感器
  • 14篇多孔
  • 12篇硅基
  • 11篇气敏传感器
  • 10篇气敏元件
  • 10篇复合结构
  • 8篇抛光
  • 8篇抛光表面
  • 8篇气敏材料
  • 7篇氧化钨
  • 5篇气敏性
  • 5篇硅表面
  • 5篇传感器元件
  • 4篇电极
  • 4篇氧化钒
  • 4篇室温工作

机构

  • 32篇天津大学

作者

  • 32篇闫文君
  • 30篇胡明
  • 21篇曾鹏
  • 21篇李明达
  • 21篇马双云
  • 7篇王登峰
  • 7篇魏玉龙
  • 4篇张玮祎
  • 3篇马文锋
  • 2篇袁琳
  • 2篇崔珍珍
  • 1篇刘青林
  • 1篇刘星
  • 1篇武雅乔
  • 1篇李娜

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 7篇2014
  • 16篇2013
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件
本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件,硅基片衬底为n型单晶硅基片,硅基片衬底的上面设置有多孔硅层,该多孔硅层的平均孔径为170.28nm,厚度为68.78μm,多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜,薄...
胡明李明达马双云闫文君曾鹏
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用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法
本发明公开了一种用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法,先将p型单晶硅基片衬底清洗干净,采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的单晶硅基片的抛光表面制备多孔硅,再将制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用...
胡明李明达马双云闫文君曾鹏
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一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法
本发明公开了一种低温(700℃)制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法:首先采用p型单晶硅作为基底,利用双槽电化学的方法在基底表面制备多孔硅层;然后,金属钨作为耙材,利用磁控溅射的方法在多孔硅表面沉积金属钨薄膜,制备...
胡明马双云崔珍珍李明达曾鹏武雅乔闫文君
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一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法
本发明公开了一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法:首先采用单面抛光的p型单晶硅基片为硅基片衬底,超声清洗;再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片表面制备多孔硅层,腐蚀电解液由40%的氢氟酸与二甲基甲酰胺组成...
胡明曾鹏马双云闫文君李明达
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多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法
本发明公开了一种多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法,提供了一种以多孔硅为基底复合一维氧化钨纳米棒的方法,显著提高了敏感材料的比表面积,并且利用两种半导体材料间发生电荷转移形成的异质结,从而进一步提高了对探测气...
胡明马双云李明达曾鹏闫文君
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多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法
本发明公开了多孔硅基一维氧化钨纳米线结构气敏传感器元件的制备方法,首创采用了孔径在1-2μm,兼有孔道高度有序排列的硅基多孔硅复合一维氧化钨纳米结构为气敏材料,因巨大的比表面积以及表面活性可提供大量的气体吸附位置、气体扩...
胡明马双云曾鹏李明达闫文君
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一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件
本实用新型公开了一种用于室温探测的多孔硅氨敏传感器元件,其特征在于,硅基片衬底(1)为n型单晶硅基片,硅基片衬底(1)的上面设置有多孔硅层(2),多孔硅层(2)上表面设置有铂电极正极(3)和铂电极负极(4)。本实用新型克...
胡明李明达曾鹏马双云闫文君
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一种多孔硅基氧化钒纳米棒复合结构的制备方法
本发明公开了一种多孔硅基氧化钒纳米棒复合结构的制备方法,先将p型单面抛光的单晶硅基片放入清洗液中清洗,再采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅基片抛光表面制备多孔硅层,再以金属钒作为靶材,在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜,再将溅...
胡明闫文君曾鹏朱乃伟王登峰
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金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法
本发明公开了一种金掺杂多孔硅/氧化钒纳米棒气敏材料的制备方法:首先将p型单面抛光的单晶硅基片清洗干净,采用双槽电化学腐蚀法在其抛光表面制备多孔硅层,再在多孔硅表面溅射形成金属钒薄膜;再将其置于离子溅射仪的真空室中,采用金...
胡明闫文君王登峰魏玉龙张玮祎
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用于室温的氨敏传感器元件的制备方法
本发明公开了一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,再将其置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用金属铂作为靶材,以氩气作为工作气体,在多孔硅表面沉积铂电极,制成氨敏传感器元件。本发明的...
胡明李明达曾鹏马双云闫文君
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共4页<1234>
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