夏洋
- 作品数：77 被引量：193H指数：6
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用被引量：1
- 2014年
- 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。
- 邹志超李超波罗军夏洋
- 关键词：等离子体浸没离子注入鞘层FINFET
- PEALD原位掺杂制备纳米TiO2-xNx光催化剂被引量：3
- 2013年
- 采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂。利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外–可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(MO)溶液的性能。结果表明,等离子体功率变化可以改变掺入氮原子的结构,在功率为50 W时主要形成替换式氮原子,含量约为1.22at%,晶体为锐钛矿(101)型。结构无明显缺陷,且掺杂后TiO2-xNx薄膜光生电子–空穴对复合率低,有利于光催化效率的提高。该方法解决了传统ALD工艺制备TiO2-xNx光催化剂时容易形成氧空位的问题,实现了TiO2-xNx纳米材料的可见光(λ<800 nm)吸收和可见光光催化性能。
- 饶志鹏万军冯嘉恒李超波夏洋
- 关键词：原位光催化剂
- A1_2O_3钝化及其在晶硅太阳电池中的应用被引量：11
- 2012年
- 介绍了Al_2O_3的材料性质及其原子层沉积制备方法,详细阐述了该材料的钝化机制(化学钝化和场效应钝化),并从薄膜厚度、热稳定性及叠层钝化等角度阐释其优化方案.概述了Al_2O_3钝化在晶体硅太阳电池中的应用,主要包括钝化发射极及背面局部扩散电池和钝化发射极及背表面电池.最后,对Al_2O_3钝化工艺的未来研究方向和大规模的工业应用进行了展望.
- 张祥刘邦武夏洋李超波刘杰沈泽南
- 关键词：原子层沉积钝化
- 基于图形化蓝宝石衬底的HB-LED研究进展
- 2012年
- 为了制作高亮度LED,需要在图形化蓝宝石衬底上生长GaN材料。通过光刻在平坦蓝宝石衬底上制作掩膜图形,通过刻蚀将图形转移到蓝宝石衬底,得到图形化蓝宝石衬底。在图形化蓝宝石衬底上进行GaN的侧向外延生长,并做后续处理,就制成了基于图形化蓝宝石衬底的高亮度LED。图形化蓝宝石衬底上GaN的侧向外延生长使得外延材料的位错密度从1010 cm-2降低到107 cm-2,这减少了发生非辐射复合的载流子,多量子阱发射更多的光子,LED的内量子效率提高。此外,图形化蓝宝石衬底能够有效散射从多量子阱射出的光线,使得出射光射到逃离区的几率更大,从而提高光萃取率。内量子效率和光萃取率的提高大大改善了LED的光电特性。
- 黄成强陈波李超波夏洋汪明刚饶志鹏
- 关键词：光学器件HB-LED光电特性
- 等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究被引量：3
- 2012年
- 表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面布满了高度为0-550 nm的山峰状结构,结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低.在:300—1000nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%.通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.
- 刘杰刘邦武夏洋李超波刘肃
- 关键词：等离子体浸没离子注入折射率
- 原子层沉积制备ZnO薄膜研究进展
- 2013年
- 随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外光的发光器件。与传统的薄膜制备技术相比,原子层沉积技术(ALD)在膜生长方面具有生长温度低、厚度高度可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备ZnO薄膜的主流方法。综述了ALD制备ZnO薄膜的反应机制、生长机制和掺杂方面的研究进展,针对当前ZnO薄膜p型掺杂的难点,指出了V族元素中的大半径原子(磷和砷等)掺杂有可能成为制备高质量、可重复和稳定的p型ZnO的潜力研究点,最后总结和展望了ALD制备ZnO薄膜的应用前景和研究趋势。
- 张阳张祥卢维尔李超波夏洋
- 关键词：ZNO薄膜
- 1OOV高压pMOS器件研制
- 2006年
- 研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.
- 宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生
- 关键词：高压集成电路LDMOS
- 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析被引量：1
- 2007年
- 采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。
- 薛丽君刘明王燕禡龙鲁净谢常青夏洋
- 关键词：泊松方程薛定谔方程流体力学方程
- 低压VDMOS金属层电阻的模拟分析被引量：1
- 2008年
- 通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型,并对此模型进行Hspice模拟,确定了金属层厚度大于5μm时,金属层电阻对VDMOS的导通电阻影响较小。同时提出了双层金属工艺方法,实现VDMOS金属层的全湿法腐蚀。
- 王立新夏洋
- 关键词：VDMOS
- 磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究被引量：1
- 2013年
- 在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
- 邵花王文东刘训春夏洋
- 关键词：磁控溅射TA
