汪明刚
- 作品数：57 被引量：20H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种等离子体浸没注入装置
- 本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置，包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统，所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极，使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两...
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- 等离子体浸没离子注入设备
- 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的...
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- 文献传递
- 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究
- 2010年
- 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。
- 汪明刚刘杰杨威风李超波夏洋
- 关键词：感应耦合等离子体ENERGY离子密度二次离子质谱直流电压源
- 一种发光多孔硅的制备方法
- 本发明涉及光电子领域，具体的说是一种发光多孔硅的制备方法。制备：将预处理的单晶硅片于I号清洗液中煮至沸腾，取出单晶硅片用热、室温去离子水冲洗；冲洗后在氢氟酸溶液浸泡；浸泡后的单晶硅片于II号清洗液中煮沸2～3分钟，取出单...
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- 等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置
- 本发明公开了一种等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置，属于微电子技术领域。所述装置包括用于诊断等离子体离子密度、电子密度、等离子体电势与等离子体电子温度等特性参数的诊断单元；用于获得等离子体中粒子组分和各组分粒子...
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- 一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置
- 本实用新型公开了一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置，属于PIII技术领域。该装置包括工作腔室、气源、功率源、偏压源、真空系统、偏压电极、冷却系统，还包括法拉第杯系统、信号检出系统和信号处理与控制系统。该装...
- 汪明刚李超波屈芙蓉夏洋
- 文献传递
- 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
- 本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动...
- 刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
- 文献传递
- Ar/CO/NH_3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层
- 2015年
- 基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀。采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小。两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角。
- 刘上贤汪明刚夏洋
- 关键词：等离子体刻蚀
- 用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置
- 本发明公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板...
- 刘杰汪明刚夏洋李晓波罗威罗小晨李勇滔
- 文献传递
- 基于图形化蓝宝石衬底的HB-LED研究进展
- 2012年
- 为了制作高亮度LED,需要在图形化蓝宝石衬底上生长GaN材料。通过光刻在平坦蓝宝石衬底上制作掩膜图形,通过刻蚀将图形转移到蓝宝石衬底,得到图形化蓝宝石衬底。在图形化蓝宝石衬底上进行GaN的侧向外延生长,并做后续处理,就制成了基于图形化蓝宝石衬底的高亮度LED。图形化蓝宝石衬底上GaN的侧向外延生长使得外延材料的位错密度从1010 cm-2降低到107 cm-2,这减少了发生非辐射复合的载流子,多量子阱发射更多的光子,LED的内量子效率提高。此外,图形化蓝宝石衬底能够有效散射从多量子阱射出的光线,使得出射光射到逃离区的几率更大,从而提高光萃取率。内量子效率和光萃取率的提高大大改善了LED的光电特性。
- 黄成强陈波李超波夏洋汪明刚饶志鹏
- 关键词：光学器件HB-LED光电特性
