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王光月
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13
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清华大学
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相关领域:
一般工业技术
理学
金属学及工艺
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合作作者
潘峰
清华大学
曾飞
清华大学
李起
清华大学
刘宏燕
清华大学
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机构
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清华大学
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中铁电气化局...
作者
13篇
王光月
12篇
曾飞
12篇
潘峰
6篇
李起
4篇
刘宏燕
年份
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2019
2篇
2018
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2017
2篇
2016
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2014
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一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法
本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO<Sub>2</Sub>薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤:采用磁控溅射的方法,在衬底上溅射所述掺杂...
曾飞
傅肃磊
李起
潘峰
王光月
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耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Al<Sub>x</Sub>(A<Sub>y</Sub>B<Sub>1‑y</Sub>)<Sub>1‑x</Sub>N<Sub>z</Sub>;其中,x...
曾飞
刘宏燕
王光月
潘峰
文献传递
一种CuCr合金触头材料及其制备方法
本发明公开了一种CuCr合金触头材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜;(2)启动Cr组元的沉积,并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长,在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a;所...
潘峰
王光月
曾飞
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具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中,所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构,且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76:24;所述(Al...
曾飞
刘宏燕
王光月
潘峰
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一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法
本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤:采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜;所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中...
曾飞
李起
潘峰
傅肃磊
王光月
一种CuCr合金触头材料及其制备方法
本发明公开了一种CuCr合金触头材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜;(2)启动Cr组元的沉积,并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长,在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a;所...
潘峰
王光月
曾飞
具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中,所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构,且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76:24;所述(Al...
曾飞
刘宏燕
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一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法
本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤:采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜;所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中...
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一种多层金属电极材料及其制备方法
本发明公开了一种多层金属电极材料及其制备方法。本发明提供的多层金属电极材料包括设有电极图形的衬底以及依次沉积于所述衬底上的Ni层、Cu层、Ti层和Al层。本发明提供的制备方法包括如下步骤:采用蒸镀的方法,在衬底上依次沉积...
曾飞
李起
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耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法
本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Al<Sub>x</Sub>(A<Sub>y</Sub>B<Sub>1-y</Sub>)<Sub>1-x</Sub>N<Sub>z</Sub>;其中,x...
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