您的位置: 专家智库 > >

林东升

作品数:9 被引量:22H指数:3
供职机构:西北核技术研究所更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇射线
  • 3篇X射线
  • 2篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇纳米
  • 2篇半导体
  • 2篇CMOS器件
  • 1篇等离子体
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇电缆
  • 1篇电离辐射效应
  • 1篇电路测试
  • 1篇电性能
  • 1篇电子电路
  • 1篇电子理论
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子束
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元器件

机构

  • 9篇西北核技术研...
  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 9篇林东升
  • 5篇周辉
  • 4篇吴国荣
  • 4篇郭红霞
  • 4篇韩福斌
  • 4篇龚建成
  • 2篇关颖
  • 2篇程开甲
  • 2篇陈雨生
  • 2篇张义门
  • 2篇程漱玉
  • 1篇李宝忠
  • 1篇丛培天
  • 1篇曾正中
  • 1篇肖志刚
  • 1篇钟玉芬
  • 1篇蒯斌
  • 1篇吴伟
  • 1篇程引会
  • 1篇邱爱慈

传媒

  • 3篇核电子学与探...
  • 2篇微电子学
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇首届强流脉冲...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2002
  • 3篇2001
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算被引量:6
2001年
用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高 Z材料二次电子的贡献 。
郭红霞张义门陈雨生周辉龚建成吴国荣林东升韩福斌
关键词:MONTE-CARLO方法半导体封装材料集成电路X射线
低注量X射线中屏蔽电缆的系统电磁脉冲响应研究被引量:1
2005年
介绍了在低注量X光条件下进行电缆的系统电磁脉冲实验研究的方法。将DPF低注量脉冲X光响应实验与实验室电流注入方法相结合,对典型实用电缆的系统电磁脉冲响应情况进行了实验研究,结果表明该方法对于电缆的研究是切实可行的,克服了由于缺乏高注量X光装置带来的困难。
李宝忠周辉程引会林东升韩福斌吴伟钟玉芬
关键词:电缆
双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟被引量:3
2002年
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
郭红霞陈雨生张义门周辉吴国荣林东升韩福斌关颖龚建成
关键词:CMOS器件X射线半导体器件
煤炭灰分测量装置
本实用新型涉及一种使用湮灭辐射法的煤炭灰分测量装置。现有的煤炭灰分测量装置传统双能γ射线方法,因而且在煤炭灰分成分范围变化或湿度变化较大时,测量的精度低;本实用新型由屏蔽体、放射源、NaI探头、和吸收板构成,所述放射源采...
郭红霞林东升周辉
文献传递
复合薄膜的异常大电容被引量:1
2005年
应用TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论分析研究了纳米级薄膜间界面上电子运动形成的特异二极层及其充放电性能,并得到纳米级薄膜异常大电容实验的验证.
程开甲程漱玉林东升肖志刚
关键词:电容充放电性能DIRAC电子运动电子理论纳米级
西核所大型脉冲功率装置现状分析
本文介绍了西北核技术研究所现有的晨光号、闪光二号、DPF-200、强光一号和春雷号5 台大型脉冲功率装置的基本结构、特性和作用,阐述了这些装置近几年来取得的应用成果,结合最新的应用需求,对大型脉冲功率装置今后在西北核技术...
蒯斌邱爱慈曾正中黄建军丛培天郭建明林东升孙蓓云
关键词:脉冲功率相对论电子束轫致辐射等离子体电磁脉冲
文献传递
纳米复合薄膜特异电容机制探讨(英文)
2006年
TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electrontheory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性。根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制。
程开甲程漱玉林东升肖刚
电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究被引量:10
2001年
介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测试系统 ,给出了在晨光号加速器和
王桂珍龚建成姜景和吴国荣林东升常冬梅
关键词:电子器件剂量率效应电子电路电路测试
^(60)Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响被引量:3
2001年
在60 Coγ射线辐射场中采用 Pb/ Al屏蔽和非屏蔽的方法 ,研究比较了低能散射对 CMOS器件电离辐射效应的影响。在理论计算基础上 ,设计了 Pb/ Al屏蔽盒。实验结果表明 ,低能散射占总电离辐射吸收剂量的 2 0 %左右 ,采用 Pb/ Al屏蔽盒可以消除低能散射的影响 ,能更可靠地进行微电子器件抗辐射加固水平的精确评估与对比 ;低能散射对 Kovar封装的器件产生剂量增强效应 ,剂量增强因子小于 2 .
吴国荣周辉郭红霞林东升龚建成关颖韩福斌
关键词:电离辐射效应CMOS器件Γ射线
共1页<1>
聚类工具0