吴国荣
- 作品数：16 被引量：39H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程医药卫生更多>>
- NMOSFET电离辐射效应的二维数值模拟被引量：1
- 2001年
- 对具有侧向寄生晶体管的 NMOSFET的电离辐射效应进行二维数值模拟。通过在 Si O2内解泊松方程、电流连续性方程及总剂量引入的空穴陷阱的辅助方程 ,对 NMOSFET的电离辐射效应特性进行研究 ,得出辐射产生的泄漏电流 。
- 罗尹虹张正选吴国荣姜景和
- 关键词：电离辐射效应
- ^(90)Sr-^(90)Y源半导体器件辐照效应在线测量系统
- 2000年
- 介绍了一种新型半导体效应参数测量装置 ,以 90 Sr- 90 Y为模拟源辐射装置与半导体参数测试仪共同组成半导体器件辐射效应测量系统 ,可进行各类器件和电路总剂量辐照效应测量与分析 ,系统实现了在线测量和辐射剂量率的连续调节 ,特别适宜于对卫星空间辐射环境的模拟。利用系统开展了几种 CMOS器件辐射效应实验研究 ,给出了器件在 90 Sr- 90 Y源低剂量率辐射条件下的失效剂量。
- 吴国荣张正选罗尹虹郭红霞周辉姜景和
- 关键词：MOS器件在线测量系统
- 非加固CMOS器件54HC04<'90>Sr-<'90>Y源辐射效应研究
- 给出了非加固CMOS器件54HC04利用<'90>Sr-<'90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果...
- 吴国荣张正选周辉罗尹虹
- 关键词：电离辐射CMOS器件阈值电压
- 非加固CMOS器件54HC04<'90>Sr-<'90>Y源
- 给出了非加固CMOS器件54HC04利用<'90>Sr-<'90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国仙首次给出了器件在连续辐照状态下的效就数据。研究结果...
- 吴国荣张正选周辉罗尹虹
- 关键词：电离辐射CMOS器件阈值电压
- ^(90)Sr-^(90)Y源辐射剂量场的测量及计算被引量：1
- 2001年
- 采用 Li F薄膜和 Ca F2 :Mn剂量片 ,对以90 Sr- 90 Y作为辐射源的半导体辐照效应模拟装置中的剂量进行了实验测量 ,并用经验公式计算了相应的辐射剂量场分布。实验测量和理论计算数据之间的偏差分析结果表明 ,用 L i F薄膜测量90 Sr- 90
- 吴国荣周辉张正选林东生郭红霞彭宏伦
- 关键词：Β源锶90钇90辐射源
- X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算被引量：6
- 2001年
- 用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高 Z材料二次电子的贡献 。
- 郭红霞张义门陈雨生周辉龚建成吴国荣林东升韩福斌
- 关键词：MONTE-CARLO方法半导体封装材料集成电路X射线
- 双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟被引量：3
- 2002年
- 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
- 郭红霞陈雨生张义门周辉吴国荣林东升韩福斌关颖龚建成
- 关键词：CMOS器件X射线半导体器件
- 双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证被引量：1
- 1999年
- 在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是可行的和可靠的。
- 唐本奇吴国荣李国政
- 关键词：晶体管模型
- 电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究被引量：10
- 2001年
- 介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测试系统 ,给出了在晨光号加速器和
- 王桂珍龚建成姜景和吴国荣林东升常冬梅
- 关键词：电子器件剂量率效应电子电路电路测试
- 多层平板电离室测量不同材料界面剂量分布及其蒙特-卡洛模拟被引量：1
- 2001年
- 研究设计了多层平板铝电离室 .用该电离室测量了 30— 10 0keV宽谱同步辐射X射线在Kovar Au Al,Pb Al,Ta Al界面附近的辐射剂量梯度分布 ,给出了不同材料界面剂量增强因子 (doseenhancementfctor) (DEF) .理论上用蒙特 卡洛粒子输运方法模拟计算了实测模型下的不同材料的界面剂量增强因子 ,实验结果与理论模拟符合很好 .
- 郭红霞陈雨生张义门吴国荣周辉关颖韩福斌龚建成
- 关键词：X射线
