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杨蓉

作品数：49 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 11篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇石墨
  • 14篇石墨烯
  • 6篇电极
  • 6篇硫化
  • 6篇硫化钼
  • 6篇晶体管
  • 6篇二硫化钼
  • 5篇载气
  • 5篇晶圆
  • 5篇刻蚀
  • 5篇各向异性刻蚀
  • 5篇衬底
  • 4篇气相沉积
  • 4篇温区
  • 4篇晶体
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇光电
  • 4篇非易失性
  • 4篇非易失性存储

机构

  • 49篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇西安空间无线...

作者

  • 49篇杨蓉
  • 44篇张广宇
  • 41篇时东霞
  • 9篇史志文
  • 6篇张连昌
  • 5篇王毅
  • 4篇王多明
  • 3篇王皖燕
  • 3篇王文军
  • 3篇陈小龙
  • 3篇黄青松
  • 3篇余画
  • 2篇赵静
  • 2篇李娜
  • 2篇刘冬华
  • 1篇许智
  • 1篇郭海明
  • 1篇潘毅
  • 1篇白雪冬
  • 1篇高敏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇中国晶体学会...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 9篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统
本实用新型涉及一种可用于生长二维材料的多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统。现有技术的薄膜生长装置并不适于低温外延生长二维材料，而且结构复杂，功能单一，操作和维护不便，价格昂贵。本实用新型的系统利用石英管体来形成生...
张广宇杨蓉时东霞成蒙谢贵柏
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包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法
本发明涉及包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法。根据一实施例，一种析氢催化电极可包括：导电金属层；位于所述导电金属层上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的二硫化钼层。优选地，所述二硫化钼层为具有金属相的单层二硫...
张广宇杨蓉祝建琪时东霞
文献传递
非易失性存储器及其制备方法
本发明提供了一种非易失性存储器及其制备方法，涉及半导体领域。本发明的非易失性存储器包括从下到上依次分布的基底、下介质层、导电层、上介质层和电荷存储层，导电层包括第一电极、沟道层和第二电极，沿水平方向第一电极和第二电极分别...
王硕培张广宇时东霞杨蓉
文献传递
一种半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明提供一种半导体场效应晶体管，包括：衬底；第一绝缘层，位于所述衬底上方；半导体层，位于所述第一绝缘层上方；导电接触层，覆盖所述半导体层的一部分；第二绝缘层，位于所述导电接触层上方，所述导电接触层在所述第二绝缘层的第一...
田金朋张广宇时东霞杨蓉
文献传递
一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法
本发明公开了一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法，以利用这种方法来实现石墨烯晶向定位、石墨烯的加工剪裁及图案化，该方法包括：采用含氢等离子体对石墨或石墨烯的表面进行各向异性刻蚀，在石墨或石墨烯表面形成多个规则的六角形...
张广宇时东霞杨蓉王毅张连昌
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二硫化钼的可控生长及其异质结研究
过渡金属硫属化物半导体材料作为二维原子晶体家族的重要成员,是构筑新型光电子学器件的理想材料.如何获得晶圆级高质量单层硫化物薄膜是推动其实际产业化应用的基础,本报告将介绍我们组最近在二硫化钼(MoS2)的可控生长方面的研究...
杨蓉张广宇
关键词：化学气相沉积晶界迁移率
二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统
本实用新型涉及二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统。常规的二维材料生长系统价格昂贵，并且功能性单一。本实用新型的二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统包括管体和围绕该管体的一部分的多温区恒温炉，还可以包括设置在多温区恒温炉...
张广宇杨蓉时东霞李烁辉余画
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非易失性存储器及其制备方法
本发明提供了一种非易失性存储器及其制备方法，涉及半导体领域。本发明的非易失性存储器包括从下到上依次分布的基底、下介质层、导电层、上介质层和电荷存储层，导电层包括第一电极、沟道层和第二电极，沿水平方向第一电极和第二电极分别...
王硕培张广宇时东霞杨蓉
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孪晶界对单层二硫化钼电学输运性能的影响
理论与实验研究表明孪晶界对单层二硫化钼性能具有重要的影响。需要详细的实验去阐明孪晶界对二硫化钼的影响机制。我们通过低压化学气相沉积合成了具有孪晶界的单层二硫化钼，同时通过变温输运测量研究了孪晶界对单层二硫化钼在不同温度下...
杜罗军杨蓉时东霞张广宇
关键词：二硫化钼孪晶界
一种二维半导体材料晶体管及其制备方法
本发明提供了一种顶栅二维半导体材料晶体管、其制备方法及相应的CMOS工艺兼容的集成电路制备方法。所述结构的晶圆级顶栅晶体管可以实现优异的电学性能和极高的成品良率，且该结构的制备方法不涉及任何二维材料通常采用的干法或湿法转...
彭雅琳张广宇杨蓉杨威时东霞
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