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时东霞

作品数:123 被引量:226H指数:10
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 48篇专利
  • 46篇期刊文章
  • 22篇会议论文
  • 4篇科技成果

领域

  • 27篇理学
  • 18篇一般工业技术
  • 17篇电子电信
  • 16篇化学工程
  • 3篇生物学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生

主题

  • 23篇石墨
  • 21篇扫描隧道显微...
  • 21篇石墨烯
  • 21篇纳米
  • 14篇化学气相
  • 14篇化学气相沉积
  • 12篇气相沉积
  • 10篇晶体管
  • 10篇衬底
  • 9篇电极
  • 8篇硫化
  • 8篇硫化钼
  • 8篇二硫化钼
  • 8篇STM
  • 7篇场效应
  • 6篇单晶
  • 6篇退火
  • 6篇金属
  • 6篇超高密度信息...
  • 5篇原子

机构

  • 117篇中国科学院
  • 11篇北京科技大学
  • 7篇山东大学
  • 5篇东北大学
  • 5篇中国科学院大...
  • 3篇北京大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 120篇时东霞
  • 64篇张广宇
  • 41篇杨蓉
  • 26篇高鸿钧
  • 20篇庞世瑾
  • 10篇张连昌
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  • 9篇史志文
  • 8篇张昊旭
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  • 7篇张玉忠
  • 7篇张永平
  • 7篇解思深
  • 6篇季威
  • 6篇高培基
  • 6篇常香荣
  • 6篇张秀芳
  • 6篇田中卓
  • 6篇王多明
  • 5篇郭海明

传媒

  • 10篇物理
  • 9篇物理学报
  • 6篇电子显微学报
  • 5篇真空科学与技...
  • 4篇第四届全国S...
  • 2篇科学通报
  • 2篇中国科学(A...
  • 2篇材料研究学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇中国科学(C...
  • 1篇化学学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇生物物理学报
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
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  • 5篇2021
  • 2篇2020
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  • 6篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
  • 9篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2004
123 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米硅表面与界面的扫描隧道显微镜研究
本文应用扫描隧道显微镜(STM),对使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的纳米硅 (nc-Si:H)薄膜进行了研究,得到颗粒上以及颗粒间界的原子结构图像,从图像上可以得出:(1)纳米硅薄膜是由许多不同大小的颗...
高聚宁杨海强刘宁时东霞江月山薛增泉庞世谨何宇亮
关键词:纳米硅原子结构
文献传递
单分子组装及结构随温度的交替转变
时东霞杨冰寸焕尧季威杜世萱L.F.ChiH.FuchsW.Hofer高鸿钧
单电子隧穿器件的研究进展被引量:1
2001年
单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注。与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一。本文从单电子隧穿现象的起源入手 ,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展 ,并简述了其潜在的应用价值。
江鹏何声太时东霞张昊旭高鸿钧
关键词:库仑阻塞纳米电子学凝聚态物理
用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备
本发明涉及用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备。根据一示例性实施例,一种真空转移设备可包括:真空腔;二维样品驱动模块,安装在所述真空腔上并且包括延伸到所述真空腔内的二维驱动杆,所述二维驱动杆的延伸到所述真空腔内的末...
张广宇卢晓波时东霞杨蓉汤建
文献传递
表面包敷1-壬基硫醇的银纳米粒子形成过程及其自组织有序阵列被引量:4
2001年
用紫外 可见光谱和透射电子显微镜研究了表面包敷有 1 壬基硫醇的银纳米粒子的形成过程 .结果表明 ,银纳米粒子的形成是先快速形成较大粒子 ,然后是粒子分解和轻微长大的动态过程 .
何声太姚建年解思深汪裕萍江鹏时东霞张昊旭庞世瑾高鸿钧
关键词:银纳米粒子
并五苯分子在Ag(110)表面成膜过程中的结构研究被引量:8
2004年
采用低能电子衍射原位研究了并五苯分子 (C2 2 H1 4)在Ag(110 )单晶表面的生长 ,观察了在初期沉积过程及随后基底变温过程中分子层结构的形成和变化 .室温下并五苯分子在Ag(110 )基底表面具有高的迁移性 ,从开始无序的亚单层膜结构逐渐形成有序的单层膜结构 .实验和理论分析表明 :并五苯分子平铺在Ag(110 )表面 ,形成了与基底构成有关的有序结构 ,存在沿基底晶向成镜面对称的两种畴界取向 ,在基底温度从室温升高到接近并五苯升华温度的过程中 。
王业亮时东霞季威杜世萱郭海明刘虹雯高鸿钧
关键词:并五苯薄膜生长晶体结构
MPCVD制备β-C_3N_4薄膜的成分和结构研究
2000年
M .L .Cohcn和A .Y .Liu利用半经验公式和第一性原理计算表明 ,如果C和N能够结合成类似于 β Si3 N4结构的化合物 β C3 N4,由于C N的键长比C C的键长短和键的离子性小 ,它的体弹性模量B约为 483GPa至 42 7GPa ,接近甚至超过金刚石的体弹性模量。这是人类第一次从理论上预言一种超硬性能的新材料 ,β C3 N4的实验合成不仅可以为人类提供一种全新的材料 ,而且能够进一步检验理论预言的正确性。本文采用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD) ,用高纯氮气 ( 99.999% )和甲烷 ( 99.9% )作反应气体 ,在单晶Si( 1 0 0 )基片上沉积C3 N4薄膜。利用扫描电子显微镜 (SEM)观察薄膜形貌表明 ,薄膜由密排的六棱晶棒组成。X射线能谱 (EDX)分析了这种晶态C N膜的化学成分 ,对不同样品不同区域的分析结果表明 ,N/C比接近于 4/3。X射线衍射 (XRD)结构分析说明该膜主要由 β C3 N4和α C3 N4组成。利用XPS分析说明薄膜为C+ N-极性键结合 ,FT IR和Raman谱支持C N公价键的存在。
张永平顾有松常香荣田中卓时东霞张秀芳袁磊
有机功能分子薄膜的组装及石墨烯的各向异性刻蚀
时东霞
有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储被引量:13
2001年
采用扫描隧道显微镜 (STM )在 3 phenyl 1 ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究 .通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲 ,在薄膜上写入了一个稳定的 5× 6信息点阵 ,信息点的大小是 0 8nm .电流 电压 (I V)曲线表明 ,施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化 .信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合 ,从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变 .
时东霞宋延林张昊旭解思深庞世瑾高鸿钧
关键词:超高密度信息存储扫描隧道显微镜
聚丙烯腈基碳纤维的表面结构研究
用扫描隧道显微镜对经过电化学腐蚀前后的聚丙烯腈基碳纤维分别进行了观测分析,发现了一种有趣的螺旋结构。碳纤维表面是由沿纤维轴向排列的呈螺旋结构的细纤维组成的,螺旋伸展方向沿纤维轴向。同时这种螺旋结构也存在于碳纤维内部。最后...
时东霞刘宁杨海强高聚宁江月山庞世瑾
关键词:扫描隧道显微镜
文献传递
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