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李赟

作品数：72 被引量：5H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 3篇标准
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 5篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程

主题

  • 39篇碳化硅
  • 22篇衬底
  • 21篇外延片
  • 20篇硅外延
  • 18篇外延层
  • 14篇淀积
  • 13篇硅衬底
  • 12篇硅
  • 10篇气体
  • 9篇碳化硅衬底
  • 9篇掺杂
  • 8篇气相淀积
  • 8篇化学气相淀积
  • 8篇工艺气
  • 8篇工艺气体
  • 8篇纯氢
  • 7篇碳化
  • 7篇缺陷密度
  • 7篇均匀性
  • 6篇退火

机构

  • 72篇中国电子科技...

作者

  • 72篇李赟
  • 42篇赵志飞
  • 24篇李忠辉
  • 6篇朱志明
  • 6篇李哲洋
  • 4篇董逊
  • 4篇陈辰
  • 3篇吴维丽
  • 3篇尹志军
  • 3篇高汉超
  • 2篇张东国
  • 2篇柏松
  • 2篇陆东赛
  • 2篇陈刚
  • 2篇吴云
  • 2篇曹越
  • 1篇彭大青
  • 1篇杨乾坤

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 6篇2019
  • 12篇2018
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法
本发明公开了一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法：选取偏向<11-20>方向4°的(0001)硅面碳化硅为衬底；使用氢气、氩气和丙烷同时对衬底进行表面预处理；当温度升温至外延生长温度时开始生长第一层...
李哲洋李赟
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一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法
本发明公开了一种低缺陷密度外延薄膜的制备方法。该方法在SiC外延片上淀积一层硅(Si)薄膜。生长过程中采用氢气、氩气混合气体作为载气，在抑制Si团簇形成的同时降低Si薄膜的沉积速率，使生长更加可控。在生长Si薄膜前，先生...
王翼赵志飞李赟周平
高表面质量碳化硅外延层的生长方法
本发明公开一种高表面质量碳化硅外延层的生长方法，包括以下步骤：1)选取偏向<11?20>方向4°的硅面碳化硅衬底，将衬底置于SiC外延系统反应室内有碳化钽涂层的石墨基座上；2)将SiC外延系统反应室升温至14...
李赟
文献传递
生长源流量对SiC外延生长的影响
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通...
李赟李哲洋董逊陈辰
关键词：4H-SIC生长速率
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一种提高碳化硅外延片片内p型掺杂浓度均匀性的方法
本发明公开了一种提高碳化硅外延片片内p型掺杂浓度均匀性的方法，以化学汽相淀积生长技术为基础，在基座气浮气体中加入少量硅源、碳源、氯化氢以及三甲基铝等，再通过气浮气体作为载气将少量的工艺气体推至石墨基座边缘，以微调衬底边缘...
李赟
一种降低碳化硅外延片表面颗粒密度的方法
本发明是一种降低碳化硅外延片表面颗粒密度的方法，以化学气相淀积生长技术为基础，采取在化学气相沉积生长之前特殊的反应室清洁、气体吹扫和氯化氢辅助烘烤程序，大大降低了外延生长过程中，反应室腔室内颗粒掉落的几率，有效降低了碳化...
李赟
文献传递
减少外延片表面划痕的方法
本发明公开了一种减少外延片表面划痕的方法，包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内的石墨基座上；(2)利用氩气对反应室内气体进行多次置换，然后向反应室通入氢气，逐渐加大氢气流量至20～40L/min，设...
李赟
文献传递
一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法
本发明提供一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法，步骤包括：步骤一，将SiC衬底放置到反应室中，并抽真空；步骤二，将氢气通入反应室，通入碳源、硅源和掺杂源进行表面处理；步骤三，通入碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行缓...
王翼李赟赵志飞周平
文献传递
提高碳化硅外延兼容性的方法
本发明公开了一种提高碳化硅外延兼容性的方法，是在使用时选择外延炉支持的最大尺寸的石墨基座。当放入小尺寸衬底时，放入合适尺寸的填充片，当衬底尺寸和基座尺寸相同时，则不需要加入填充片。本方法通过引入和衬底具有相同掺杂类型、晶...
李赟
文献传递
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