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朱志明

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇碳化硅
  • 6篇硅衬底
  • 6篇衬底
  • 4篇载气
  • 4篇碳化硅薄膜
  • 4篇硅薄膜
  • 2篇单晶
  • 2篇源流
  • 2篇沾污
  • 2篇碳化硅衬底
  • 2篇碳化钽
  • 2篇晶格
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化合物半导体...
  • 2篇基极
  • 2篇机械泵
  • 2篇集电极
  • 2篇降温过程

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇朱志明
  • 6篇赵志飞
  • 6篇李赟
  • 4篇尹志军
  • 2篇李忠辉
  • 2篇程伟
  • 2篇陆东赛
  • 2篇高汉超

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种在硅（Si）衬底上的β‑碳化硅薄膜的制备方法。本方法是在化学气相沉积（CVD）设备中进行的，首先在Si衬底上制备规则的Si纳米柱阵列，生长前原位刻蚀处理去除表面氧化层和沾污，再由碳化形成碳化硅缓冲层，随后初...
赵志飞李赟朱志明
文献传递
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β-碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β-碳化硅薄，再加入一个刻蚀...
赵志飞李赟朱志明
文献传递
一种在硅衬底上制备β-碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种在硅（Si）衬底上的β-碳化硅薄膜的制备方法。本方法是在化学气相沉积（CVD）设备中进行的，首先在Si衬底上制备规则的Si纳米柱阵列，生长前原位刻蚀处理去除表面氧化层和沾污，再由碳化形成碳化硅缓冲层，随后初...
赵志飞李赟朱志明
一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法
本发明是一种在碳化硅衬底上制作低层数石墨烯薄膜的方法，包括如下工艺步骤：一、选取硅面碳化硅衬底置于有碳化钽涂层的石墨基座上；二、系统升温；三、降低反应室温度至1200℃以下；四、提高氩气流量；五、系统升温；六、降低氩气流...
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
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单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次...
高汉超尹志军程伟李忠辉朱志明
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一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法
本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β‑碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β‑碳化硅薄，再加入一个刻蚀...
赵志飞李赟朱志明
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