李梅芝
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响被引量：4
- 2007年
- 研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.
- 李梅芝陈星弼
- 关键词：栅压温度功率密度
- LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应被引量：4
- 2006年
- 利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs.W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.
- 李梅芝郭超陈星弼
- 关键词：热路模型
- 用于SPIC日光灯镇流器的图腾柱结构的高低侧复合功率管
- 该文第一章首先简单介绍了功率电子学的发展和S PIC的有关背景知识.智能功率集成电路SPIC(Smart Power IC)是一种将功率器件与低压逻辑控制电路集成及相关的驱动保护电路集成在一块芯片上的智能化控制芯片.SP...
- 李梅芝
- 关键词：SPIC复合管
- 文献传递
- LDMOS开关在不同频率下的热安全工作被引量：2
- 2007年
- 研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系.结果表明:在较高频率工作时,器件内部的最高温度与器件的热容、功耗、占空比和连续工作时间有关,而与器件的热阻和信号周期无关,器件会一直处于升温状态;在较低频率工作时,器件内部的最高温度还与器件的热阻和周期有关.所得结果可作为功率器件在各种频率下工作时热安全工作的参考.
- 李梅芝陈星弼
- 关键词：最高温度开关频率
- LDMOS的局部电热效应分析被引量：3
- 2005年
- 分析了LDMOS(lateral DMOS)在一次雪崩击穿后的局部电热效应.提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度弛豫时间会影响漏极电压弛豫时间.从而证明LDMOS工作于ESD(electrostatic discharge)保护的大电流区时,电热分析比等温分析的模拟结果与实验结果符合得更好.
- 李梅芝韦光萍陈星弼
- 关键词：等温电热触发点ESD
- 栅压对LDMOS在异常大电流下工作的影响被引量：1
- 2007年
- 研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响。结果表明,有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加,证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力。
- 李梅芝陈星弼
- 关键词：栅压LDMOS功率密度
- LDMOS功率器件的电热效应研究
- 横向双扩散MOS晶体管LDMOS/(Lateral Double-diffused MOS transistors/)因性能、价格和易于集成等优势,在智能功率集成电路SPIC/(Smart Power Integrate...
- 李梅芝
- 关键词：温度静电放电
- 文献传递
