郭超
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- LDMOS在正常开关工作下的瞬态热效应被引量：4
- 2006年
- 利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs.W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.
- 李梅芝郭超陈星弼
- 关键词：热路模型
- 具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析被引量：5
- 2003年
- 介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表明 ,解析与模拟结果具有很好的一致性 ,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点 .
- 杨洪强郭丽娜郭超韩磊陈星弼
- 关键词：SOI埋氧层电离率击穿电压比导通电阻
- 一种高精度带隙基准源和过温保护电路被引量：8
- 2005年
- 设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路。
- 潘飞蹊俞铁刚郭超陈卫东
- 关键词：带隙基准源过温保护
