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潘飞蹊

作品数：13 被引量：56H指数：5
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省大学生创新实验项目深圳市基础研究计划项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 5篇功率
  • 5篇功率因数
  • 4篇快恢复二极管
  • 4篇功率因数校正
  • 4篇二极管
  • 3篇变换器
  • 2篇电路
  • 2篇有源功率因数
  • 2篇有源功率因数...
  • 2篇BOOST变...
  • 2篇BOOST型
  • 2篇BUCK-B...
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇单晶
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇单片机控制
  • 1篇导电模式
  • 1篇电流

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 4篇深圳大学
  • 3篇四川大学
  • 1篇四川师范大学

作者

  • 13篇潘飞蹊
  • 4篇陈星弼
  • 2篇游志朴
  • 2篇敬守勇
  • 1篇郭超
  • 1篇俞铁刚
  • 1篇黄林
  • 1篇廖天康
  • 1篇伍登学
  • 1篇陈卫东
  • 1篇吴国城
  • 1篇金德虎
  • 1篇杨拓
  • 1篇梁昆凯
  • 1篇涂祺铠

传媒

  • 3篇电子器件
  • 2篇Journa...
  • 2篇电力电子技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1995
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用Buck-Boost变换器实现PFC和半桥驱动输出被引量：3
2003年
基于Buck Boost变换器工作的基本原理,提出了一种功率因数校正(PFC)和半桥输出相结合的电路结构;并给出了相应的控制方式。理论分析求出了电感取值的边界条件。由于该电路能够实现降压输出,因而降低了对所有功率开关管的耐压要求。
潘飞蹊陈星弼
关键词：变换器
一种Boost型PFC电路控制芯片的设计被引量：1
2007年
设计了一种Boost型功率因数校正(PowerFactorCorrection,PFC)电路的控制芯片.PFC控制策略采用以前研究工作中提出的一种全新方式,适用于CMOS工艺来制备专用控制芯片.通过对这种新控制方式的分析,首先划分出了实现芯片控制电路所需的功能模块,再对各个模块进行了具体的电路设计.模拟结果证实了整体电路能够实现设计要求.
潘飞蹊敬守勇
关键词：功率因数校正BOOSTCMOS工艺电流镜
高功率因数Boost变换器电流滞环控制的一种简单实现方案被引量：5
2004年
通过对传统Boost型功率因数校正 (PFC)电路电流滞环控制方法中开关时间的分析 ,提出了一种简单的控制方案 .将电路的逻辑控制分为两个相对独立的部分 ,分别利用恒导通时间控制技术和平均电感电流信号来确定电感电流的上限和下限 ,即可实现PFC .实验电路用一只RC低通滤波器来代替传统控制方法中的模拟乘法器和输入电压检测环路 ,测试获得了接近 1的功率因数 .
潘飞蹊陈星弼
关键词：功率因数校正电流滞环控制平均电流
MLD结构快恢复二极管t_(rr)-T特性的理论分析被引量：1
2005年
对少数载流子寿命横向非均匀分布 (minority carrierlifetimelateralnon uniformdistribution ,MLD)结构的快恢复二极管进行了理论研究 .首先利用MLD二极管n型基区内部少数载流子在横向上的分布形态 ,给出了MLD结构提高快恢复二极管的反恢时间 温度 (trr T)稳定性的一个定性解释 ,然后利用“平均寿命”对MLD二极管的trr T特性进行了讨论 .
潘飞蹊陈星弼
关键词：温度稳定性平均寿命
一种单片机控制的时间差型直流漏电流传感器被引量：2
2020年
通过对传统磁调制时间差型直流漏电流传感器的分析,提出了一种基于单片机(MCU,Microprogrammed Control Unit)控制检测的性能改善方案。该方案采用单片机控制全桥结构以驱动磁回路,单片机检测磁调制产生的时间差值信号,并实现电路的零磁通反馈控制。电路工作在单电源下,可以适应较宽的电源电压变化。实验电路获得了较高的测试精度。
吴国城杨方吴昌义杨拓潘飞蹊
关键词：单片机磁调制
掺氮CZ硅单晶性质的研究
潘飞蹊
金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究
2001年
掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .
金德虎潘飞蹊伍登学游志朴
关键词：正向压降
少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性被引量：2
2004年
提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .利用普通的 p+ nn+ 二极管芯片 ,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质 ,制备出了掺 Au、Pt的 ML D快恢复二极管 .测试结果表明 ,虽然这种快恢复二极管正向压降 -反恢时间兼容特性略差 ,且反向漏电流较大 ,但是具有十分良好的反恢时间 -温度的稳定特性 ,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域 .
潘飞蹊黄林廖天康游志朴
关键词：少数载流子寿命反向漏电流
一种Boost型PFC变频控制电路的简单实现方案被引量：15
2004年
提出了一种Boost型功率因数校正(PFC)电路变频控制的实现方法。利用V I变换和积分电路计算功率开关管的关断时间,保证电感始终处于临界导电模式,可获得接近1的功率因数。电路中无需模拟乘法器和电流检测环路,仅用电压单环反馈控制即可。
潘飞蹊陈星弼
关键词：功率因数电压控制
一种高精度带隙基准源和过温保护电路被引量：8
2005年
　设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路。基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路。
潘飞蹊俞铁刚郭超陈卫东
关键词：带隙基准源过温保护
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