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曹晓燕

作品数:8 被引量:22H指数:3
供职机构:浙江大学光电信息工程学系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇铁电
  • 5篇波导
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇Z
  • 3篇M
  • 2篇电光
  • 2篇电光系数
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇硅基
  • 2篇半波电压
  • 1篇性能研究
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇损耗
  • 1篇铁电晶体
  • 1篇晶体
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光学
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇SBN

机构

  • 8篇浙江大学

作者

  • 8篇曹晓燕
  • 7篇叶辉
  • 5篇郭冰
  • 4篇沈智如
  • 3篇沈伟东
  • 2篇邹桐
  • 1篇顾培夫
  • 1篇邓年辉

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇光学仪器
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇中国光学学会...
  • 1篇2004年光...

年份

  • 2篇2005
  • 6篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究被引量:3
2004年
采用溶胶 -凝胶法在Si(1 0 0 )基片上制备出择优取向的MgO薄膜 ,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜 实验发现 ,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能 同时 ,用五层对称理想波导耦合模理论 ,以SBN为波导层 ,分析了波导损耗与厚度的关系 通过对计算出的理想结果与实际相结合 ,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究 ,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜 。
曹晓燕叶辉
关键词:损耗
溶胶-凝胶生长(111)择优取向的MgO薄膜被引量:7
2005年
用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si(100)和Si(111)衬底上制备出( 111 )择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线、摇摆曲线、原子力显微镜图来研究薄膜的微结构与基板取向、退火温度、薄膜厚度之间的关系.结果表明,在退火温度高于500 ℃时结晶,Si衬底的取向对MgO薄膜的取向没有显著影响.同时,退火温度的升高和薄膜厚度的增加都能使MgO(111)的择优取向性越来越好; Si的易氧化是导致镁醇盐经过高温分解结晶形成MgO(111)择优取向的主要原因.
曹晓燕叶辉
关键词:溶胶-凝胶法
铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用被引量:2
2005年
 利用溶胶凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1∶3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V,掺K的r51值为58.5 pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633 nm时,掺K比例为1∶3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V,不掺K的半波电压值为16 V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压。
沈智如叶辉沈伟东曹晓燕郭冰
关键词:薄膜光学
SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波电压的研究被引量:1
2004年
主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。
沈智如叶辉沈伟东曹晓燕郭冰邹桐
关键词:铁电薄膜
SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波电压的研究
主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。
沈智如叶辉沈伟东曹晓燕郭冰邹桐
文献传递
SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波调制电压的研究
本文主要介绍MgO 衬底上掺K 和不掺K 的SBN60 铁电薄膜的横向电光系数的测量,实验测得不掺K 的SBN60 薄膜值为37.6/pmV,掺K的r51值为58.5 / pm V ,并由此设计一种MgO 衬底上M-Z ...
沈智如叶辉曹晓燕郭冰
关键词:电光系数铁电薄膜
文献传递
高度择优取向铁电铌酸锶钡薄膜的制备及其性能研究
铌酸锶钡(SrxBa1-xNb2O6,0.2<x<0.8,简称SBN:x)具有很高的线性电光效应和热释电效应,如SBN75的热释电系数可达31.0×10-2μC/cm2K,电光系数为rc=1380×10-12m/V,并且...
曹晓燕
文献传递
高择优取向硅基含钾铌酸锶钡(K:SBN)薄膜的制备与性能被引量:5
2004年
采用NbCl5作为先驱物 ,利用溶胶 凝胶法在Si(10 0 )衬底上成功获得高度择优取向的铁电铌酸锶钡 (SBN)薄膜 .与用Nb(OC2 H5) 5作为先驱物的SBN薄膜相比 ,NbCl5配制的薄膜前驱溶液中含有一定数量的K离子 .K离子的含量对SBN薄膜取向的影响存在一个最优值 .二次离子质谱测试发现 ,K离子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透能够同时使SBN晶胞和Si晶胞产生微小扭曲 ,从而起到调整薄膜与衬底的匹配关系 ,并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长 .测试了薄膜的光学特性 .
曹晓燕叶辉邓年辉郭冰顾培夫
关键词:溶胶-凝胶法铁电晶体
共1页<1>
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