邹桐
- 作品数：5 被引量：28H指数：2
- 供职机构：浙江大学光电信息工程学系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 压电薄膜ZnO、SBN的溅射法制备及其性能的研究
- 本论文探讨了ZnO,SBN,TiN薄膜的磁控溅射法(sputtering)以及溶胶凝胶法(Sol-gel)生长技术及其原理.在磁控溅射法制备中,分别用Zn金属靶、SBN75陶瓷靶及Ti金属靶,制备出了ZnO、SBN和Ti...
- 邹桐
- 关键词：ZNOSBNTINX射线衍射
- 文献传递
- 射频磁控反应溅射氮氧化硅薄膜的研究被引量：5
- 2005年
- 利用SiOxNy 薄膜光学常数随化学计量比连续变化的特性,给出了制备折射率连续可调的SiOxNy 薄膜的实验条件。用磁控反应溅射法制备了不同氮氧比的SiOxNy 薄膜。研究了不同气流比率条件下薄膜光学常数、化学成分及溅射速率等的变化。用UV- VIS光谱仪测试了透射率曲线,利用改进的单纯型法拟合透射率曲线计算得到了折射率和消光系数。测试了红外傅立叶光谱(FTIR)曲线和X光光电子能谱(XPS)分析了薄膜成分的变化。实验表明薄膜特性与N2/O2 流量比率密切相关,通过控制总压和改变气体流量比可控制SiOxNy 薄膜的折射率n从1.92到1.46连续变化,应用Wemple- DiDomenico模型计算出光子带隙在6.5 eV到5 eV之间单调变化。
- 朱勇顾培夫沈伟东邹桐
- 关键词：薄膜光学SIOXNY薄膜磁控溅射光学常数禁带宽度
- SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波电压的研究被引量：1
- 2004年
- 主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。
- 沈智如叶辉沈伟东曹晓燕郭冰邹桐
- 关键词：铁电薄膜
- SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波电压的研究
- 主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。
- 沈智如叶辉沈伟东曹晓燕郭冰邹桐
- 文献传递
- 用透过率测试曲线确定半导体薄膜的光学常数和厚度被引量：22
- 2005年
- 介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法 .借助于Forouhi Bloomer物理模型 ,用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线 ,获得半导体薄膜的光学常数和厚度 .对射频磁控溅射和直流反应溅射制备的玻璃基板上的α Si和ZnO薄膜进行了实验 ,拟合的理论曲线和实验曲线吻合得非常好 .计算得到的结果与文献报道的结果和台阶仪的测量结果一致 ,误差小于 4 % .该方法对无定形或多晶的半导体薄膜都适用 ,也可以用于计算厚度较薄的薄膜 .
- 沈伟东刘旭朱勇邹桐叶辉顾培夫
- 关键词：光学常数单纯形法
