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接文静

作品数：7 被引量：9H指数：2
供职机构：西南科技大学国防科技学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇介电
  • 2篇电性能
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇缓冲层
  • 2篇激光沉积
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇PLD
  • 2篇MN掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇BA
  • 1篇带材
  • 1篇性能研究
  • 1篇衍射
  • 1篇应力
  • 1篇织构
  • 1篇生长温度
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇钛酸

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 3篇西南科技大学

作者

  • 7篇接文静
  • 3篇魏贤华
  • 3篇朱俊
  • 2篇李言荣
  • 2篇张鹰
  • 2篇罗文博
  • 1篇高留春
  • 1篇秦文峰
  • 1篇熊杰
  • 1篇黄文
  • 1篇艾万勇
  • 1篇郑润华

传媒

  • 3篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
双轴织构氧化铈薄膜的反射高能电子衍射分析
2008年
为了制备高温超导带材,采用直流反应磁控溅射在Ni-5%(摩尔分数)W衬底上制备双轴织构的CeO2薄膜用作缓冲层。通过反射高能电子衍射仪观察分析了双轴织构CeO2的衍射谱。选取某一衍射点,提取其衍射强度相对直入点的弧度分布,拟合半高宽得到其面外取向分布;旋转样品,对某一非对称晶面的衍射强度做摇摆分析,得到其面内取向分布,其结果均与X射线衍射分析结果较为吻合。在CeO2缓冲层上制备的YBa2Cu3O7薄膜的临界温度为88 K,临界电流密度为1.2 MA/cm2(77 K)。
魏贤华熊杰接文静
关键词：超导带材缓冲层织构反射高能电子衍射
Ba(Zr0.2Ti0.8)O3介质薄膜生长及Mn掺杂效应研究
Ba(ZrxTi1-x)O3(BZT)，为Zr部分B位取代BaTiO3（BTO）中的Ti而形成的一种BTO基钙钛矿材料。由于Zr4+比Ti4+化学稳定性更好，Zr4+取代Ti4+之后将会抑制Ti4+与Ti3+之间的电子跃...
接文静
关键词：介电性能MN掺杂
文献传递
生长温度对单晶衬底上生长Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜微结构和介电性能的影响(英文)被引量：2
2009年
采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。通过X射线衍射表征薄膜的结构特性,原子力显微镜和扫描电子显微镜分别用来表征样品的表面和断面形貌。结果表明:BZT薄膜与LNO具有c轴取向,并以cube-on-cube方式排列生长。BZT薄膜表面致密无裂缝,具有柱状生长的晶粒。薄膜的介电性能测试显示:600℃下沉积的BZT薄膜具有较高的介电可调性(49.1%)和较低的介电损耗(2.5%)。在600℃下沉积的BZT薄膜的优值因子(figure of merit,FOM)达到19.8。
接文静张鹰
关键词：脉冲激光沉积
Ho掺杂BaZr0.2 Ti0.8O3薄膜结构及介电性能研究
本文采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了不同浓度的Ho掺杂的BaZr0.2Ti0.8O3(BZT-xHo)薄膜，研究了Ho掺杂浓度对BZT薄膜结构和介电性能的影响。实验...
高留春朱俊罗文博接文静郑润华秦文峰李言荣
关键词：激光沉积介电常数
文献传递
BaTiO_3铁电薄膜在硅基片上的取向生长被引量：7
2007年
采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的自发极化形成的铁电畴。结果表明:BTO 薄膜在不同的缓冲层硅基片上以不同的取向生长,在织构的 MgO/Si(001)基片上为(001)择优,择优程度与 MgO 织构品质有关,其中在双轴织构 MgO 缓冲层上为(001)单一取向;在 CeO2(111)缓冲层上为(011)单一取向。(001)取向的 BTO 薄膜具有更大的面外极化,而(011)取向的 BTO薄膜具有更大的面内极化。
魏贤华黄文接文静朱俊
关键词：钛酸钡铁电薄膜缓冲层激光沉积
Ba(Zr<sub>0.2</sub>Ti<sub>0.8</sub>)O<sub>3</sub>介质薄膜生长及Mn掺杂效应研究
Ba(Zr<sub>x</sub>Ti<sub>1-x</sub>)O<sub>3</sub> （BZT）,为Zr部分B位取代BaTiO<sub>3</sub>（BTO）中的Ti而形成的一种BTO基钙钛矿材料。由于Zr<...
接文静
关键词：BZTPLDMN掺杂界面应力
PLD方法制备CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构研究被引量：1
2007年
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰。后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状。在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长。
接文静朱俊魏贤华张鹰罗文博艾万勇李言荣
关键词：PLDRHEED
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