朱俊
- 作品数：94 被引量：50H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 利用动态法测量相变热释电材料的热释电系数
- 用动态法测量了相变热释电材料(Ba0.65Sr0.35)TiO3薄膜的热释电系数,并对相变热释电系数的计算进行了理论分析。先测量了传统热释电材料LiTaO3单晶薄片的热释电系数,温度信号和热释电电压存在90°相位差,热释...
- 姚金城吴传贵普朝光张万里李言荣朱俊
- 关键词：BST薄膜非制冷红外探测器
- 文献传递
- 一种利用PLD制备Al掺杂Hf<Sub>0.5</Sub>Zr<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>铁电薄膜电容器的方法
- 本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf<Sub>0.5</Sub>Zr<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>铁电薄膜电容器的方法，属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜，...
- 邱宇朱俊
- MgO缓冲层对PZT/AlGaN/GaN异质结构电学性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb(Zr0.52T0.48)O3(PZT)铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介质-半导体结构(MFIS)。XRD扫描结果表明,通过MgO缓冲层对界面结构的优化,实现了PZT薄膜沿(111)面择优取向生长。电流-电压(I-V)测试结果显示,MgO缓冲层的引入大大改善了集成体系的电学性能。在外加电压为-8V时,与无MgO缓冲层的MFS异质体系相比较,该MFIS结构的漏电流密度降低了5个数量级。集成体系的电容-电压(C-V)表现出逆时针窗口特征,反映了铁电极化对二维电子气(2DEG)的调制作用。随着缓冲层厚度的降低,铁电极化对2DEG的调制作用逐渐增强。当MgO缓冲层厚度达到2nm时,C-V窗口达到0.7V,阈值电压(Vth)降低到-1.7V。
- 张菲朱俊罗文博郝兰众李言荣
- 关键词：脉冲激光沉积PZTMGOC-VI-V
- 多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
- 2006年
- 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团．在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象．最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。
- 李言荣朱俊张鹰李金隆魏贤华梁柱张万里吴传贵刘兴钊陶伯万
- 关键词：氧化物薄膜单胞
- 含铁电层的GaN基增强型器件及制备方法
- 含铁电层的GaN基增强型器件，涉及微电子技术领域。本发明包括AlGaN/GaN/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO<Sub>3</Sub>...
- 朱俊郝兰众吴志鹏李言荣张万里
- 文献传递
- BST类氧化物铁电薄膜的生长研究
- 2005年
- 利用脉冲激光分子束外延(PLMBE)并结合反射式高能电子衍射(RHEED)方法,针对BST类氧化物铁电薄膜的生长机理进行了较为系统的实验研究。通过生长模式、生长相图、弛豫时间等的变化规律提出氧化物薄膜的原胞生长机理,通过原位实时监测生长过程获得～300℃的最低层状晶化温度,通过界面形成的压应力、张应力调控薄膜表面的形貌结构,通过不对称介质超晶格的设计获得高性能的铁电极化强度,通过过渡层技术在Si基片上实现了铁电薄膜取向生长等。
- 李言荣张鹰朱俊李燕蒋书文张万里杨传仁
- 关键词：BST
- Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3铁电隧穿结的制备与性能研究被引量：1
- 2016年
- 采用脉冲激光沉积法(PLD)在(001)SrTiO_3基片上制备了基于Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3/SrRuO_3(PZT/SRO)的铁电隧穿结。利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能。结果表明:PZT和SRO薄膜具有良好的取向结晶性,实现了薄膜的外延生长。8 nm PZT薄膜具有稳定的铁电性能,在外电场为7 500×10~3 V·cm^(–1)时,其剩余极化(2P_r)为3.79×10^(–6)C·cm^(–2),矫顽场(2Ec)为4 300×10~3 V·cm^(–1)。室温条件下,隧穿结经±7 500×10~3 V·cm^(–1)电场极化后具有明显的隧穿电阻(TER)效应,室温下TER最高可达约126。
- 刘小辉朱俊郑林辉房丽彬
- 关键词：脉冲激光沉积
- 金属氧化物薄膜的制备方法
- 金属氧化物薄膜的制备方法，涉及材料技术，特别涉及超导带材氧化物过渡层薄膜的制备技术。采用本发明，能够快速生长具有良好的织构和高的表面平整度的氧化物薄膜。本发明包括以下步骤：1)在具有织构特性的金属基片上沉积金属薄膜，沉积...
- 李言荣陶伯万陈寅刘兴钊朱俊吴传贵吴健
- 文献传递
- Ba0.6Sr0.4TiO3/LaNiO3异质结构的制备与性能
- 利用脉冲激光沉积法在LaAlO3(100)基片上外延生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)/LaNiO3(LNO)异质结构。X射线衍射(XRD)发现,BST和LNO薄膜都具有高度的(100)取向,Φ(220)扫描表...
- 秦文峰熊杰朱俊唐金龙张鹰李言荣
- 关键词：激光沉积介电性能
- 脉冲激光沉积制备铪钛酸铅薄膜的初步研究
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbHf0.3Ti0.7O3(PHT)铁电薄膜,并对薄膜的微结构和铁电性能进行了表征.通过改变生长条件,对薄膜的微结构和铁电性能进行了初步...
- 吴智鹏朱俊邓杰郝兰众张鹰
- 关键词：铁电薄膜PLD
