张旭
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术更多>>
- 成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响
- 流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片.系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律.实验...
- 黎俊宇钟朝位张旭
- 关键词：陶瓷电容器显微结构
- 成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响被引量：3
- 2014年
- 采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明:轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品。不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实。
- 黎俊宇钟朝位张旭
- 关键词：陶瓷电容器SRTIO3绝缘电阻温度特性
- La_2O_3和Sm_2O_3掺杂对SrTiO_3陶瓷结构与性能的影响被引量：1
- 2014年
- 对SrTiO3陶瓷分别进行了La2O3和Sm2O3微量掺杂改性研究,观察了稀土掺杂后陶瓷样品的显微结构,研究了其介电损耗、相对介电常数及电容量变化率随测试温度变化的规律,分析了样品在不同测试电压下的绝缘特性。研究结果表明,La2O3和Sm2O3的微量掺杂对SrTiO3陶瓷的影响相似。稀土掺杂后,样品的晶粒尺寸变小,介电损耗增大,相对介电常数明显提高,电容量变化率明显改善,绝缘电阻明显减小。当稀土掺杂量高于0.2%(摩尔分数)时,La2O3的细晶效果比Sm2O3更明显。
- 张旭钟朝位罗建
- 关键词：LA2O3SM2O3稀土掺杂
- 成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响
- 采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明:轧膜成...
- 黎俊宇钟朝位张旭
- 关键词：陶瓷电容器SRTIO3绝缘电阻温度特性
- Al_2O_3对CaO-R_2O-SiO_2/ZrO_2基LTCC材料结构性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用高温熔融法在1 350℃制备了CaO-R2O-SiO2玻璃粉料,系统研究了Al2O3的添加量对CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料结构与性能的影响规律。研究结果表明,适量添加Al2O3可促进主晶相生长,提高材料结构稳定性,使其具有良好的力学电学性能。当Al2O3添加质量分数达7.5%时,850℃下可制得抗弯强度为183 MPa、相对介电常数为7.19、介电损耗为0.22%、电阻率>5×1 013?·cm的CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料。
- 罗建钟朝位张旭崔毓仁王乔升
- 关键词：低温共烧陶瓷ZRO2高温熔融法陶瓷复合材料电子封装材料
- 成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响
- 采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明:轧膜成...
- 黎俊宇钟朝位张旭
- 关键词：陶瓷电容器SRTIO3绝缘电阻温度特性
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