崔毓仁
- 作品数：6 被引量：34H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 热压成型温度对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率Kc则先增高后降低。热压温度为370℃时,复合材料性能较好(εr=2.90,tanδ=0.001 1,A=0.58‰,Kc=0.566W/(m·℃))。
- 崔毓仁袁颖钟朝位
- 关键词：复合材料SIO2结晶度
- SiO_2-TiO_2/聚四氟乙烯复合材料的制备及热膨胀性能被引量：27
- 2013年
- 为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配，对陶瓷/聚四氟乙烯（PTFE）微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料，研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明，当SiO2的体积分数由0增至40%（TiO2 ：34%~26%）时，SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数（CTE）由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现，ROM和Kerner模型与实验数据较相符，而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。
- 闫翔宇袁颖张树人吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料聚四氟乙烯TIO2SIO2线膨胀系数
- Al_2O_3对CaO-R_2O-SiO_2/ZrO_2基LTCC材料结构性能的影响被引量：1
- 2014年
- 采用高温熔融法在1 350℃制备了CaO-R2O-SiO2玻璃粉料,系统研究了Al2O3的添加量对CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料结构与性能的影响规律。研究结果表明,适量添加Al2O3可促进主晶相生长,提高材料结构稳定性,使其具有良好的力学电学性能。当Al2O3添加质量分数达7.5%时,850℃下可制得抗弯强度为183 MPa、相对介电常数为7.19、介电损耗为0.22%、电阻率>5×1 013?·cm的CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料。
- 罗建钟朝位张旭崔毓仁王乔升
- 关键词：低温共烧陶瓷ZRO2高温熔融法陶瓷复合材料电子封装材料
- 烧结工艺对SiO_2-TiO_2/PTFE复合材料性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。
- 闫翔宇袁颖吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料TIO2SIO2热压烧结
- 低损耗ZrTi_2O_6填充PTFE复合基板性能被引量：7
- 2013年
- 采用热压成型工艺，制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯（PTFE）的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能（8~12 GHz）。结果表明，ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数（ε r）和介电损耗（tanδ）随着ZrTi2O6陶瓷体积分数（0~46%）的增加而增大，介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例，ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42，介电损耗为0.0022（10 GHz）。
- 吴开拓袁颖张树人闫翔宇崔毓仁
- 关键词：复合材料聚四氟乙烯介电特性基板
- PTFE/SiO_2复合材料的DSC分析及其结晶行为研究被引量：2
- 2013年
- 采用DSC技术,研究不同热压温度制备的PTFE/SiO2复合材料以及纳米SiO2部分取代微米SiO2的PTFE/SiO2复合材料的非等温结晶行为。DSC分析表明热压温度高于370℃时,PTFE分子聚合度下降,晶态PTFE微观形貌发生改变,其性能恶化。对复合材料非等温结晶DSC曲线应用Avrami方程分析发现,结晶过程包含了均相成核和异相成核两种成核机理。纳米SiO2取代部分微米SiO2量小于0.25%时,对PTFE成核作用有一定提升,当取代量大于0.25%时,由于偶联剂用量一定,造成SiO2颗粒团聚以及与PTFE界面相容性变差,成核效果不明显。
- 崔毓仁钟朝位袁颖
- 关键词：DSC结晶度热压温度异相成核
