张振生
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法
- 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协...
- 朱瑞徐军刘亚琪张振生俞大鹏
- 文献传递
- 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
- 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求...
- 徐军章蓓张振生代涛
- 文献传递
- 纳米集成光路中的光源、光波导和光增强被引量：2
- 2008年
- 使用近场光学显微术(scanning near-field optical microscopy,SNOM)研究了ZnO亚微米线端面出射性质,不同空间形貌Ⅱ-Ⅵ族半导体荧光器件光波导特性,二维光子晶体、准晶光子晶体对LED的出射增强作用以及表面等离激元(surface plasmon polariton,SPP)与半导体纳米荧光器件的相互作用,对纳米集成光路中的光源、光波导、光增强三个重要问题做了实验和理论上的分析.研究发现半导体微纳米线端面出射光束的质量与样品的直径有密切关系.通过合理地设计其直径和表面形貌,可以将其用于纳米集成光路中的光源和光波导.具有多种空间形貌的半导体原型荧光器件,如四脚锥结构、梳状结构、多分支结构都具有很好的光波导特性,能够实现分光、集光、耦合、滤波功能.二维光子晶体对GaN基LED的出光增强效果明显,最高可达5.2倍.近30%的荧光被局域在光子晶体表面没有传播出去.这一结论有利于进一步改善LED出光性能.将半导体光波导与SPP结合,在满足SPP共振激发条件时,可以增强二者界面处电磁场强度.光子晶体和SPP都可以实现低维、纳米尺度下的局域光放大,为纳米集成光路中的光增强提供了可能.
- 刘丹马仁敏王菲菲张增星张振生张学进王笑白永强朱星戴伦章蓓
- 一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法
- 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协...
- 朱瑞徐军刘亚琪张振生俞大鹏
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- GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量
- 2005年
- 采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构的激光器样品在增益和增益饱和方面的性能差别,同时指出样品外延时生成的裂纹,可能是造成这一差别的原因。
- 金春来胡晓东王琦张振生章蓓
- 关键词：光损耗光增益增益饱和
- 氮化镓基发光器件上聚焦离子束制备的光子晶体研究
- 本文对氮化镓基发光器件上聚焦离子束制备的光子晶体进行了研究。主要结果如下：
(1)在国内率先发展了一套聚焦离子束刻蚀GaN基材料和GaN基一维、二维光子晶体的技术，解决了高纵深比深亚微米刻蚀中的一系列技术难点，...
- 张振生
- 关键词：发光二极管聚焦离子束光子晶体
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- 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
- 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求...
- 徐军章蓓张振生代涛
- 文献传递
- GaN基准二维八重光子准晶的研制
- 在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为...
- 张振生章蓓徐军任谦杨志坚经光银王琦胡晓东于彤军俞大鹏张国义
- 关键词：GAN光子晶体离子束刻蚀
- 文献传递
- 基于一维光子晶体的腔结构及其制备方法
- 本项发明提出一种基于光子晶体的新型的适于研制GaN腔镜面的结构和方法。本发明采用深度刻蚀半导体微结构形成半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体结构，采用先进的直写式聚焦离子束(FIB)亚微米微加工技术和简化的工艺步骤，...
- 章蓓徐军张振生
- 文献传递
- GaN基二维八重准晶光子晶体制备与应用被引量：6
- 2006年
- 针对半导体发光管(LED)器件普遍存在的出光效率低下的问题,首次采用聚焦离子束技术成功地在GaN基发光器件上制备了GaN二维八重准晶光子晶体(2D8PQCs)结构。并将二维八重准晶光子晶体应用于电注入器件,当刻蚀孔径为600nm,空气填充因子为30%时,得到了表面出光效率高达2.5倍的增强。通过微区电致发光与发光图样的研究,证实二维八重准晶光子晶体结构抑制了导波模式的传播,将LED中导波模式耦合到辐射模式,从而起到改进表面出光的作用。上述结果为二维准晶光子晶体在GaN基发光器件中的应用提供了一种可能的途径。
- 张振生章蓓徐军经光银
- 关键词：GAN二维光子晶体准晶出光效率
