章蓓
- 作品数：80 被引量：139H指数：7
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 光子晶体和织构化薄膜转印提高LED出光效率的方法
- 本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和...
- 章蓓包魁罗春雄陈志忠季航陈勇
- 文献传递
- 两种C_(60)-肌氨酸衍生物的室温荧光光谱
- 1995年
- C_(60)以其独特的分子结构、物理化学性质以及许多方面的巨大潜在应用前景,引起了各国科学家的强烈兴趣.C_(60)宏观量制法的发现,极大地推动了人们对其独特物理化学性质的研究.其中C_(60)在室温或低温下在近红外区有微弱的荧光发射,这在文献中已有许多报道,然而这些报道却不尽相同.例如:早期的研究均未观察到C_(60)溶液的室温荧光光谱;Wang认为C_(60)荧光的量子产率随采用的不同的激发波长而变,而后来的工作则认为其量子产率与激发波长无关;另外C_(60)的荧光寿命短到0.033ns长到1.45ns均有报道.纯C_(60)
- 周德建甘良兵谭海松骆初平姚光庆黄春辉章蓓
- 关键词：荧光寿命碳60荧光光谱室温
- 氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
- 本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于...
- 魏启元胡晓东李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚
- 关键词：氮化镓基激光器激光二极管量子阱结构多元合金性能表征
- 文献传递
- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 2005年
- 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：透射电镜激光剥离
- 一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法
- 本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：1)根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定...
- 章蓓代涛徐军
- 文献传递
- InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：8
- 1995年
- 利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．
- 章蓓王若鹏丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民
- 关键词：微盘激光器半导体激光器异质结
- 半导体发光二极管及其制备方法
- 半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀...
- 章蓓张国义俞大鹏栾峰王大军
- 文献传递
- Er离子在InP、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰被引量：2
- 1993年
- 分别在InP、GaAs和Si中以7×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)的剂量进行Er离子注入,并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光(PL)、反射式高能电子衍射(RHEED)和卢瑟福背散射(RBS)实验研究表明,上述样品中Er^(3+)离子特征发光的中心波长均出现在1.54μm处,其中InP的发光峰最强,而注入损伤的恢复是影响Er^(3+)发光的重要因素之一。RBS分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移,而在InP中的外扩散较小,并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。
- 章蓓陈孔军王舒民虞丽生郑婉华徐俊英徐天冰朱沛然盖秀贞
- 关键词：光致发光离子注入铕离子稀土族
- 薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在Ga...
- 康香宁章蓓包魁代涛张国义
- 文献传递
- 扫描近场光学显微术对InGaP微盘发光模式的研究被引量：1
- 1999年
- 采用反射式扫描近场光学显微技术分别对直径为５μｍ和１０μｍ的图钉式ＩｎＧａＰ光学微盘进行了形貌和光致发光的近场图样测量和研究，并与由常规光学荧光显微镜测得的荧光图象相比较．结果表明ＩｎＧａＰ微盘的近场发光图样不仅反映出荧光图象的回音壁模式特征，即沿微盘周界显示为一圈红色亮环，而且证实荧光图像中的红色亮环实际上与更精细的由分立的周期性亮点组成的近场光场分布相对应．结合微盘内部与外部的近场分布可以获得光学微盘中发光模式的重要信息．
- 张宇辛永春朱星凌勇尹彦周赫田章蓓甘子钊
- 关键词：显微技术
