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崔晓芳

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:中国船舶重工集团公司第七二五研究所更多>>
相关领域:冶金工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇冶金工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米粉
  • 2篇纳米粉末
  • 2篇结瘤
  • 2篇溅射
  • 2篇粉末
  • 2篇靶材
  • 2篇ITO
  • 2篇ITO靶材
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇导体
  • 1篇影响因素
  • 1篇诱因
  • 1篇诱因分析
  • 1篇共沉淀
  • 1篇共沉淀法
  • 1篇共沉淀法制备
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜

机构

  • 3篇中国船舶重工...
  • 1篇洛阳船舶材料...

作者

  • 4篇崔晓芳
  • 4篇郗雨林
  • 2篇吴晓飞
  • 1篇薛建强
  • 1篇王政红

传媒

  • 2篇热加工工艺
  • 1篇材料开发与应...
  • 1篇2014中国...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
共沉淀法制备纳米ITO粉末影响因素被引量:1
2013年
简介了化学共沉淀法制备纳米ITO(铟锡氧化物)陶瓷粉末的工艺,概述了制备过程中离子浓度、pH值以及煅烧温度等不同因素对产物性质的影响,并对其发展趋势进行了展望。
崔晓芳郗雨林
关键词:ITO共沉淀法纳米粉末
ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤诱因分析
2020年
研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤问题,借助SEM对可能促使结瘤产生的因素进行了分析.结果表明,裂纹、孔隙等缺陷是结瘤产生的主要原因.
崔晓芳吴晓飞郗雨林
关键词:ITO靶材磁控溅射
纳米ITO粉末制备技术
2012年
概述了纳米ITO(铟锡氧化物)陶瓷粉末的制备技术。
崔晓芳郗雨林
关键词:ITO纳米粉末
ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究
本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许是结瘤产生的内在原因.
吴晓飞郗雨林崔晓芳王政红薛建强
关键词:半导体薄膜磁控溅射
文献传递
共1页<1>
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