尹星
- 作品数：7 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信核科学技术金属学及工艺更多>>
- D^+注入对Li_4SiO_4表面形貌影响的研究
- 2016年
- 国际热核聚变堆采用氚增殖剂与中子反应产生氚,其中氚增殖剂的释放行为和辐照性能是聚变堆设计研究的重要内容,中国独立发展的氦冷固态球床实验包层初步采用硅酸锂作为氚增殖剂。本文采用氢的同位素氘模拟研究氚在增殖剂中的释放行为和辐照性能,通过离子注入方式对硅酸锂陶瓷进行了不同剂量的氘离子辐照,研究了D离子注入对硅酸锂表面形貌的影响,同时采用高温热解析技术研究了D在硅酸锂中的释放行为。结果表明:D离子注入在表面形成了微米级气泡带、纳米级微孔、无规则裂缝。在加热过程中D主要以HD、D_2、HDO、D_2O形态释放。
- 尹星赵云华金凡亚李凌群刘翔冯勇进沈丽如陈晓军
- 关键词：离子注入表面形貌
- 高功率脉冲磁控溅射制备TiN_x涂层研究
- 2013年
- 采用高功率复合脉冲磁控溅射技术(HPPMS)在316不锈钢、硬质合金基体上沉积了TiN薄膜,研究不同N2流量下TiNx膜层的沉积速率、硬度、晶体生长取向、摩擦磨损等性能,并在相同的平均靶电流下与直流磁控溅射制备的TiN薄膜对比。结果表明:HPPMS制备的膜层更加致密,在氩氮流量比为7.4:1时膜层显微硬度达2470 HV,晶粒尺寸也明显小于直流磁控溅射制备的TiN,摩擦磨损性能也得到了改善。
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- 关键词：TIN显微硬度XRD
- 高功率脉冲磁控溅射电源的研制被引量：5
- 2013年
- 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注。高压大电流脉冲电源是实现该技术的重要环节之一。本论文介绍了一种HPPMS电源,该电源由充电电源、斩波输出两部分组成,给出了主电路框图。分析了大电流对斩波开关过电压的影响,采用RC吸收和续流有效地抑制了电压过冲,用所研制的电源进行HPPMS镀膜试验,结果表明电源运行稳定可靠,制备的薄膜表面清洁、致密,其平均表面粗糙度很低。可以预见HPPMS技术将会促进镀膜技术的发展。
- 王洪国陈庆川韩大凯尹星许泽金沈丽茹金凡亚
- 关键词：电源
- 高功率脉冲磁控溅射试验平台设计及放电特性研究
- 2012年
- 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注,是目前的热点研究方向,为此我们搭建了试验平台并对HPPMS的放电特性进行了研究。结果表明:脉冲峰值电流随脉冲电压的增加而增加,随着气压的增加而增加。本文为进一步研究高功率脉冲磁控溅射提供了硬件条件和参考。
- 王洪国陈庆川陈健韩大凯尹星许泽金沈丽茹金凡亚
- 孪生磁控溅射制备氮化铬涂层的研究被引量：1
- 2013年
- 主要研究了孪生磁控溅射技术制备不同含氮量的CrNx涂层,以及N2流量对涂层组织、结构性能、耐腐蚀性能的影响。试验设备采用自行研制的MSP-1000复合离子镀膜机,配置了四对孪生磁控溅射靶和对称双极性脉冲中频磁控溅射电源。结果表明:增加氮流量对膜层的性质有重要的影响。如CrN晶体生长取向,随着N2流量的增加CrN择优取向由<111>转变为<200>,N2流量较低时涂层中生成有Cr2N相。在N2流量为33%和100%时的CrNx腐蚀电位分别为-0117和-0133 V,具有较强的抗盐雾腐蚀性能。
- 尹星沈丽如金凡亚但敏许泽金
- 关键词：中频磁控溅射CRN涂层腐蚀电位X射线衍射
- 孪生磁控溅射制备氮化铬涂层的研究
- 本文利用孪生磁控溅射技术制备不同氮含量的氮化铬涂层,并分析了N2流量对涂层组织、结构性能以及耐腐蚀性能的影响.试验设备采用自行研制的MSP-1000复合离子镀膜机,配置了四对孪生磁溅射靶及对称双极性脉冲中频磁控溅射电源....
- 尹星沈丽如金凡亚但敏许泽金
- 关键词：中频磁控溅射耐腐蚀性能腐蚀电位X射线衍射
- 文献传递
- 硅酸锂的氘离子注入及热解析性能研究
- 国际热核聚变堆计划采用氘氚聚变能解决未来人类能源问题,其中的氚燃料自持是聚变堆核心问题之一。聚变堆所需的燃料氚是由高能中子通过铍、铅等材料倍增后辐照含锂的增殖剂材料来产生,但氚的释放是一个十分复杂的物理过程,主要通过增殖...
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- 关键词：离子注入表面形貌聚变堆
