陈庆川
- 作品数：83 被引量：62H指数：5
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>
- 真空阴极电弧离子源磁场分析与设计被引量：2
- 2019年
- 真空阴极电弧离子源是多弧离子镀膜设备的核心部件,直接影响镀膜系统的整体性能。真空阴极电弧离子源在工作时,大液滴发射是阻碍电弧离子镀技术广泛深入应用的瓶颈问题。合理设计并利用磁场可以很好地控制弧斑运动,大幅度地减少液滴、减小液滴尺寸、提高膜层质量和使用寿命。对真空阴极电弧离子源的附加磁场进行了理论分析和仿真计算,为附加磁场的优化设计提供了重要的指导依据。
- 蒋钊唐德礼陈庆川周晖肖更竭郑军马占吉杨拉毛草
- 关键词：电弧放电磁场
- 基于UC3875的ZVZCS PWM软开关直流电源的研制被引量：5
- 2008年
- 本文介绍了移相谐振控制芯片UC3875的电气特性与基本功能,详细分析了以UC3875作为控制核心设计的一台1.2KW、70kHz的移相式ZVZCS PWM软开关直流电源,并运用PSpice9.1进行了仿真,给出了该电源控制电路、主电路基本电路拓扑,列出了相关参数的仿真波形与实验波形。
- 牟翔永陈庆川陈庆川
- 关键词：UC3875ZVZCS软开关
- 增强磁场型线性离子源
- 本发明属于离子束技术领域，具体地说是一种适用于离子束清洗，离子束刻蚀和离子束辅助沉积的磁场增强型线性离子源。包括阴极顶板、阴极外框、中央磁钢、外围磁钢、气路、水冷阳极和绝缘支柱。离子束引出口由构成阴极顶板的阴极顶板外环和...
- 陈庆川韩大凯赵哲沈丽如王丁
- 10cm×30cm矩形射频离子束源的研制被引量：3
- 2006年
- 本文介绍了射频(Radiofrequency,RF)感应耦合等离子体(Inductivecoupleplasma,ICP)离子束源的设计研究。该射频离子束源可工作于Ar,在使用四栅引出系统时,可获得100—1000eV的离子束。当射频功率为900W,在Ar为工作气体时,束流可达到600mA。在束流为120mA时,距源26cm处,在主轴方向27cm的范围内不均匀性小于±6%。该离子束源可作为大面积离子束刻蚀、离子束抛光等的离子束源。
- 苏志伟陈庆川韩大凯
- 关键词：电感耦合等离子体离子束刻蚀
- 一种多栅极射频感应耦合离子源
- 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽...
- 陈庆川黄琪聂军伟赵哲石连天孙振华王丁
- 文献传递
- 高功率脉冲磁控溅射试验平台设计及放电特性研究
- 2012年
- 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注,是目前的热点研究方向,为此我们搭建了试验平台并对HPPMS的放电特性进行了研究。结果表明:脉冲峰值电流随脉冲电压的增加而增加,随着气压的增加而增加。本文为进一步研究高功率脉冲磁控溅射提供了硬件条件和参考。
- 王洪国陈庆川陈健韩大凯尹星许泽金沈丽茹金凡亚
- 矩形射频ICP离子束源天线设计
- 2007年
- 为了更好地提高引出离子束的均匀性,对离子束刻蚀用矩形射频电感耦合等离子体(ICP)离子束源提出了三种线圈的设计方法,并对这三种线圈激发的电场进行了数值计算和比较。结果表明,直线段式不等距天线和并联多螺旋不等距天线线圈能够产生均匀性良好的电场,且其耦合效率高。
- 苏志伟陈庆川韩大凯
- 关键词：电感耦合等离子体天线
- 5kW弧电源的设计与仿真
- 2010年
- 介绍了开关电源的优点和大功率弧电源的结构,给出了以SG3525为控制核心的弧电源的设计方法。该电源主电路采用全桥式逆变电路,应用平均电流模式控制的PWM调制技术实现电流的稳定输出。并应用OrCAD15.7仿真工具对主电路和控制电路建模并进行闭环仿真,得到了与设计要求相符合的实验结果,通过对仿真结果的分析验证了设计方案的可行性。试验表明,该弧电源具有良好的性能。
- 李民久陈庆川王晨曦
- 关键词：SG3525开关电源PWMMOSFET
- 一种射频感应耦合等离子体中和器
- 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔...
- 陈庆川聂军伟黄琪石连天
- 文献传递
- 多功能复合离子镀膜机的研制被引量：4
- 2005年
- 详细介绍了一台我院新近研制的多功能复合离子镀膜机。该机配有柱弧源、电磁控大面积弧源、小多弧源,使得在不同材质的工件上原位连续镀制各种多层膜及复合化合物膜;偏压电源采用我院自行开发的叠加式直流脉冲偏压开关电源,使用该电源可有效控制基体温度,实现远离平衡态的低温沉积镀膜工艺;全部控制及工艺流程采用PLC(可编程控制器)自动控制,具有成本低、效率高、膜系质量优、工艺可重复性好等特点。用该设备开发的一些功能膜复合工艺已获得实际应用,取得了良好的使用效果。
- 陈庆川童洪辉崔西蓉刘晓波耿漫王经权
- 关键词：PLC自动控制
