孙瑛
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
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- 镓杂质R_S效应的研究与分析被引量：1
- 2004年
- 在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系扩散所产生的杂质 RS效应机理 ,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对
- 孙瑛刘志军刘秀喜
- 关键词：氧化膜
- 一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺被引量：2
- 2004年
- 针对制造高压晶闸管 p型杂质扩散工艺的不足 ,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究 .通过大量试验和工艺论证 ,研制成一种气 (Ga) -固 (Al掺杂氧化物 ) -固 (Si)掺杂新工艺 .经应用证明 ,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率 。
- 刘秀喜孙瑛李玉国
- 关键词：晶闸管
- 一种高压器件表面保护材料的研究被引量：1
- 1997年
- 本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电流，提高耐压水平和增加产品合格率．该项成果为高压电力半导体器件研究和生产提供了一种高性能的钝化保护材料，具有先进性和实用性．
- 刘秀喜薛成山孙瑛王显明庄惠照
- 关键词：高压器件
- p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析被引量：1
- 2002年
- 采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 .
- 孙瑛王凤英
- 关键词：俄歇分析
- 开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析被引量：1
- 2002年
- 叙述了SiO2 /Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理 ,研究了镓掺杂与器件电参数的关系 ,并分析了改善器件性能的机理 .实验证明 ,采用SiO2 /Si系开管扩镓工艺 ,扩镓硅片表面状况、均匀性和重复性良好 ,镓杂质浓度分布理想 ,并能明显改善器件电参数性能 ,提高电参数一致性 ,增加成品率等 ,优于闭管扩镓、裸Si系开管扩镓和硼扩散 .
- 孙瑛
- 关键词：掺杂
- 高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究被引量：2
- 1996年
- 针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的，产品电参数一致性和综合性能好，合格率高，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径．
- 刘秀喜薛成山林玉松孙瑛庄惠照
- 关键词：晶闸管高电压大电流
- 镓在裸Ｓ＃-[i]系和Ｓ＃-[i]Ｏ＃-[2]／Ｓ＃-[i]系扩散模型分析
- 刘秀喜孙瑛
- 关键词：镓扩散半导体器件晶闸管
- 硅片排列方式对扩散均匀性的影响被引量：3
- 1992年
- 在气相镓杂质扩散中,通过实验和生产实践表明,硅片在石英舟上不同的排列方式,对杂质扩散均匀性产生不同的影响,本文从机理上进行了分析和讨论。
- 刘秀喜孙瑛陈刚赵玉仁
- 关键词：硅片
- 一种半导体器件气相钝化的方法
- 刘秀喜孙瑛
- 关键词：半导体器件钝化气相氮
