姜大朋
- 作品数：60 被引量：22H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市“科技创新行动计划”湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
- 一种水冷籽晶杆
- 本实用新型涉及一种水冷籽晶杆，所要解决的技术问题在于提供一种能够增大籽晶下端散热的水冷籽晶杆。所述水冷籽晶杆包括：下封块（1）、上支撑块（6）、连接于所述下封块（1）与上支撑块（6）之间的中空的支撑环（2）、以及位于所述...
- 唐飞苏良碧钱小波吴庆辉姜大朋王静雅
- 文献传递
- 一种高强力学性能蓝宝石晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种高强力学性能蓝宝石晶体及其制备方法。本发明的高强力学性能蓝宝石晶体为一种掺碳钛蓝宝石晶体，碳掺杂量为晶体总质量的1000~10000ppm，钛掺杂量为晶体总质量的500~3000ppm。本发明还公开了该晶体...
- 胡克艳唐慧丽徐军钱小波姜大朋
- 文献传递
- 一种掺钇碱土氟化物光学晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种掺钇碱土氟化物光学晶体及其制备方法，所述碱土氟化物光学晶体掺杂有Y<Sup>3+</Sup>，化学式为MeF<Sub>2</Sub>+xYF<Sub>3</Sub>，其中，x=0.01～0.2。本发明提供的...
- 姜大朋苏良碧段琪瑱王静雅唐飞钱小波
- 文献传递
- 痕量La杂质对CaF_(2)晶体γ辐照诱导色心光谱特性的影响
- 2023年
- 氟化钙晶体的抗γ射线辐照性能是其在太空应用的关键性能之一。本文报道了痕量La杂质对氟化钙晶体γ辐照诱导色心的影响。主要采用吸收光谱、电子顺磁共振(EPR)等手段对辐照前后存在不同痕量La杂质的氟化钙晶体进行研究。结果表明,辐照后的氟化钙晶体产生多个色心吸收带,且吸收带的吸收系数随辐照剂量和La杂质浓度增加而增加。EPR证实这种吸收带的形成是由氟化钙晶体中F心引起的,而La^(3+)的存在影响氟化钙晶体F心的稳定性和光谱位置,本文提出了La^(3+)与氟化钙晶体中F心存在的可能机制。
- 王栋浩寇华敏邵冲云姜大朋张博王静雅钱小波张中晗吴庆辉苏良碧
- 关键词：色心Γ辐照痕量
- 氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法
- 本发明涉及一种氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法，其中，炉体系统具备炉腔、中心设有开孔的炉底板、和与炉腔连通的真空管道，炉底板的中心开孔与炉腔的腔体贯通，炉腔和炉底板均为双层结构，中间夹层布置有冷却水道；加热...
- 姜大朋苏良碧钱小波唐飞徐军王静雅吴锋
- 文献传递
- 一种大尺寸Yb,R:CaF<Sub>2</Sub>/SrF<Sub>2</Sub>激光晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种大尺寸Yb,R:CaF<Sub>2</Sub>/SrF<Sub>2</Sub>激光晶体及其制备方法，包括：（1）将特定方向的籽晶和晶体生长原料装入晶体生长装置的坩埚中，所述晶体生长装置包括上发热体、下发热体...
- 姜大朋苏良碧唐飞吴庆辉王静雅钱小波马凤凯
- 文献传递
- Er、Fe离子对掺镱硅酸钪近红外光谱性能影响
- LD可直接泵浦的掺Yb激光晶体具有光谱结构简单，量子效率高等优点.Sc2SiO5(SSO)晶体属于单斜结构，具有负折射率温度系数的特点，是薄片激光器的理想候选基质.采用中频感应提拉法生长5.0at％Yb：SSO激光晶体，...
- 薛艳艳郑丽和姜大朋苏良碧徐军卢利平
- 关键词：提拉法生长高功率激光器薄片激光器
- Er、Fe离子对掺镱硅酸钪近红外光谱性能影响
- LD可直接泵浦的掺Yb激光晶体具有光谱结构简单,量子效率高等优点。ScSiO(SSO)晶体属于单斜结构,具有负折射率温度系数的特点,是薄片激光器的理想候选基质。采用中频感应提拉法生长5.0at%Yb:SSO激光晶体,比较...
- 薛艳艳郑丽和姜大朋苏良碧徐军卢利平
- 关键词：提拉法生长高功率激光器薄片激光器
- 文献传递
- Nd,Gd:SrF_(2)晶体材料在宽带放大中的光谱增益特性
- 2023年
- 光谱的增益窄化是影响超短脉冲宽带放大的关键因素之一.本文利用Nd,Gd:SrF_(2)晶体发射光谱的特点,开展了宽带放大中的光谱增益特性理论和实验的研究.通过数值模拟,详细研究了激光增益介质在不同的光谱增益线型及不同增益倍数下,输出光谱的演化规律.Nd,Gd:SrF_(2)晶体光谱增益窄化特性研究实验结果表明,输入光谱半高宽为5 nm时,在140倍的增益条件下,Nd,Gd:SrF_(2)晶体的输出光谱宽度未见明显窄化,实验结果与理论计算分析相符合.研究结果为氟化物晶体在宽带啁啾脉冲放大的应用奠定了基础.
- 蒋东镔张颖姜大朋朱斌李纲孙立黄征卢峰谢娜周凯南粟敬钦
- 关键词：增益窄化氙灯泵浦
- 用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置
- 本发明涉及单晶生长技术领域。一种用于晶体生长装置的自动温控方法、系统和装置。所述方法用于晶体生长装置，晶体生长装置包括主控发热体和辅控发热体，主控发热体用于控制生长装置的高温区间，辅控发热体用于控制生长装置的低温区间，自...
- 苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波
