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唐飞: 作品数：29 被引量：3H指数：1; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>; 相关领域：理学金属学及工艺电子电信化学工程更多>>

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一种含有异形隔板的晶体生长装置和异形隔板: 本发明涉及一种含有异形隔板的晶体生长装置和异形隔板。生长装置包括炉壳，保温层，坩埚和发热体，保温层设置在炉壳内并形成一密闭中空腔体以提供晶体生长操作空间，发热体设置在保温层的内壁上用于提供晶体熔融的热源，坩埚包括从上到下...; 苏良碧王鹏飞姜大朋张中晗钱小波唐飞王一峰

Yb掺杂Ca(1-x)RxF(2＋x)(R=La,Gd)激光晶体的结构与光谱性能参数的研究被引量：2: 2017年; 采用坩埚下降法生长了两个系列晶体3at%Yb:Ca_(1-x)R_xF_(2+x)(R=La,Gd;x=0,0.01,0.03,0.06,0.09),测试了晶体的XRD、拉曼光谱、吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命。系统地研究了调剂离子La^(3+)、Gd^(3+)对Yb:CaF_2晶体晶格常数、拉曼光谱和光谱性能的影响规律,分析讨论了Yb^(3+)离子的结构与光谱性能之间的关系。研究结果表明,随着La^(3+)、Gd^(3+)掺杂浓度增加,晶体的晶格常数和拉曼半高宽都逐渐增大,这说明晶体膨胀和晶格振动模式种类增多。在3at%Yb:Ca_(1-x)La_xF_(2+x)晶体中,当调剂离子La^(3+)掺杂浓度为6at%时,具有最大吸收截面0.71×10-20 cm^2,荧光强度也最大;而在3at%Yb:Ca_(1-x)Gd_xF_(2+x)晶体中,当调剂离子Gd^(3+)掺杂浓度为3at%时,荧光强度最大,Gd^(3+)掺杂浓度为6at%时,具有最大吸收截面0.64×10^(-20) cm^2。共掺晶体相比于单掺3at%Yb:CaF_2晶体有更好的光谱参数。综上可知,通过调节La^(3+)、Gd^(3+)离子浓度,可以改变Yb^(3+)离子的结构,优化晶体的光谱性能。; 何益锋薛艳艳刘文庆苏良碧唐飞王静雅; 关键词：光谱性能

一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法: 本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含...; 苏良碧寇华敏王栋浩张中晗姜大朋吴庆辉王静雅唐飞

一种界面可视化的晶体生长观测装置和方法: 一种界面可视化的晶体生长观测装置，用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测，包括高真空生长装置，生长探测组件，坩埚旋转系统和控制系统，所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长...; 苏良碧张中晗吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博钱小波

一种水冷籽晶杆: 本实用新型涉及一种水冷籽晶杆，所要解决的技术问题在于提供一种能够增大籽晶下端散热的水冷籽晶杆。所述水冷籽晶杆包括：下封块（1）、上支撑块（6）、连接于所述下封块（1）与上支撑块（6）之间的中空的支撑环（2）、以及位于所述...; 唐飞苏良碧钱小波吴庆辉姜大朋王静雅; 文献传递

一种原位退火装置，原位退火的控制方法和操作步骤: 本发明提供一种原位退火装置，用于与生长装置配套使用，生长装置包括中空炉体，设有开放腔的热场，坩埚和籽晶杆，热场容置在中空炉体内用于在生长方向上提供梯度热源，坩埚容置在热场的开放腔内，籽晶杆用于提供冷源，籽晶杆与坩埚连接用...; 苏良碧吴庆辉姜大朋寇华敏唐飞张博

一种甚多微孔坩埚以及高通量制备氟化物单晶光纤的方法: 本发明涉及一种甚多微孔坩埚以及高通量制备氟化物单晶光纤的方法，所述甚多微孔坩埚包括：坩埚主体、安装于所述坩埚主体的上方的坩埚上盖和安装于所述坩埚主体的下方的坩埚底盖；所述坩埚主体包括多个独立的晶体的生长空间；每个独立的生...; 张中晗苏良碧钱小波唐飞张振姜斌斌; 文献传递

一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法: 本发明公开了一种对大尺寸氟化钙晶体进行退火的方法，所述方法包括以下步骤：将所需退火的氟化钙晶体放入坩埚中，用氟化钙碎晶原料掩埋覆盖，同时避免晶体与坩埚和空气直接接触；放入真空退火炉中，进行真空退火或气氛退火；所述退火工艺...; 姜大朋苏良碧王静雅钱小波唐飞吴峰徐军; 文献传递

高通量制备单晶光纤的装置和方法: 本发明提供一种高通量制备单晶光纤的装置和方法，涉及一种多孔石墨坩埚，所述多孔石墨坩埚包括坩埚体和坩埚托，所述坩埚体内部包括多个独立的生长区间；每个生长区间依次包括：上盖、上装料区、单晶光纤生长区和下装料区；所述单晶光纤生...; 苏良碧王绍钊钱小波唐飞吴庆辉姜大朋; 文献传递

基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法: 本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所...; 苏良碧姜大朋唐飞钱小波张振张中晗王静雅张博寇华敏