2024年12月15日
星期日
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
周智慧
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
何秀坤
中国电子科技集团公司
李静
中国电子科技集团公司
冯倩
西安电子科技大学微电子学院微电...
汝琼娜
中国电子科技集团公司
王香泉
中国电子科技集团公司
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
期刊文章
1篇
专利
领域
1篇
电子电信
主题
1篇
单晶
1篇
扫描电子显微...
1篇
砷化镓
1篇
砷化镓单晶
1篇
抛光
1篇
抛光液
1篇
密度检测
1篇
化学抛光
1篇
化学抛光液
1篇
缓冲层
1篇
发光
1篇
发光特性
1篇
GAN薄膜
1篇
掺杂
1篇
大尺寸
机构
2篇
中国电子科技...
1篇
西安电子科技...
作者
2篇
周智慧
1篇
章安辉
1篇
汝琼娜
1篇
王香泉
1篇
冯倩
1篇
李静
1篇
何秀坤
传媒
1篇
微纳电子技术
年份
1篇
2006
1篇
2005
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
GaN薄膜发光特性的研究
被引量:1
2005年
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。
李静
冯倩
何秀坤
汝琼娜
周智慧
关键词:
扫描电子显微镜
缓冲层
掺杂
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法,包括研磨,抛光:机械抛光或化学抛光,采用化学抛光液配方为硫酸∶双氧水∶水=3∶1∶1;位错腐蚀,将氢氧化钾放在银坩埚内加热,使氢氧化钾熔化加热至澄清状态时即放入晶片试样进行腐蚀,然后取...
周智慧
章安辉
王香泉
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张