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文献类型

  • 1篇期刊文章
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领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
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  • 1篇砷化镓
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  • 1篇抛光
  • 1篇抛光液
  • 1篇密度检测
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  • 1篇化学抛光液
  • 1篇缓冲层
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇掺杂
  • 1篇大尺寸

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 2篇周智慧
  • 1篇章安辉
  • 1篇汝琼娜
  • 1篇王香泉
  • 1篇冯倩
  • 1篇李静
  • 1篇何秀坤

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
GaN薄膜发光特性的研究被引量:1
2005年
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。
李静冯倩何秀坤汝琼娜周智慧
关键词:扫描电子显微镜缓冲层掺杂
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法,包括研磨,抛光:机械抛光或化学抛光,采用化学抛光液配方为硫酸∶双氧水∶水=3∶1∶1;位错腐蚀,将氢氧化钾放在银坩埚内加热,使氢氧化钾熔化加热至澄清状态时即放入晶片试样进行腐蚀,然后取...
周智慧章安辉王香泉
文献传递
共1页<1>
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